Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD1200SGL120C3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

Arus pengumpul

@ T C =25 ℃

@ T C = 100℃

1900

A

1200

Saya CM (1)

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

2400

A

Saya F

Arus Terus Diode

1200

A

Saya FM

Arus Muka Maksimum Diode =0V,

2400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175℃

8823

W

t SC

Masa Tahan Litar Pintas @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

Saya 2nilai-t, Diode

V r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

300

kA 2S

V ISO

Voltan Pengasingan RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Pemasangan

Tork

Skru Terminal Kuasa:M4

Skru Terminal Kuasa:M8

1.7 hingga 2.3

8.0 hingga 10

N.M

Pemasangan Skru:M6

4.25 hingga 5.75

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

BV CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

800

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

6.5

7.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C = 1200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.9

V

Saya C = 1200A,V GE =15V, t j = 125℃

2.1

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

r Gint

Resistor Gate Dalaman

t j =25 ℃

1.2

Ω

Q GE

Bayaran pintu

Saya C = 1200A,V CE =600V, V GE =- 15...+15V

12.5

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =1200A,

r G =0.82Ω,V GE = ± 15V, t j =25 ℃

790

n

t r

Masa naik

170

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1350

n

t F

Waktu kejatuhan

180

n

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =1200A,

r G =0.82Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125℃

850

n

t r

Masa naik

170

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1500

n

t F

Waktu kejatuhan

220

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

155

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

190

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

92.0

NF

C oes

Kapacitans Output

8.40

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

6.10

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

7000

A

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

r CC ’+ EE ’

Rintangan pemimpin modul e, terminal ke cip

t C =25 ℃ ,setiap suis

0.10

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F = 1200A

t j =25 ℃

1.9

V

t j = 125℃

2.1

Q r

Dioda Balik

Bayaran pemulihan

Saya F = 1200A,

V r =600V,

di/dt=-6800A/μs, V GE =- 15V

t j =25 ℃

110

μC

t j = 125℃

220

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik Semasa

t j =25 ℃

760

A

t j = 125℃

990

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

47

mJ

t j = 125℃

82

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-ke-Kes (Bahagian IGBT, pe r Modul)

0.017

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (Bahagian Diode, setiap Modu (Le)

0.025

K/W

r θ CS

Kes-ke-Sink

(Menggunakan lemak konduktif, per Modul)

0.006

K/W

Berat

Berat bagi modul

1500

G