IGBT Diskret

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

SayaC

Arus Pengumpul @ TC=25OC @ TC=100OC

150

75

A

SayaCM

Berdenyut Kolektor Semasa  tP  terhad oleh tvjmax

225

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ Tvj= 175OC

852

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

VRRM

Voltaj Balik Puncak BerulangUmur

1200

V

SayaF

Dioda berterusan ke hadapan Curental

75

A

SayaFM

Berdenyut Kolektor Semasa  tP  terhad oleh tvjmax

225

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

tvjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +175

OC

tSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-55 hingga +150

OC

tS

Suhu pengimpalan,1.6mm fRom kes untuk 10s

260

OC

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VCE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

SayaC= 75A,VGE=15V, tvj=25OC

1.75

2.20

V

SayaC= 75A,VGE=15V, tvj=150OC

2.10

SayaC= 75A,VGE=15V, tvj= 175OC

2.20

VGE(th)

Ambang Gate-Emitter voltan

SayaC=3.00mA,VCE=VGE, tvj=25OC

5.0

5.8

6.5

V

SayaCES

Kolektor Potongan-dimatikanSemasa

VCE=VCES,VGE=0V, tvj=25OC

250

μA

SayaGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

VGE=VGES,VCE=0V,tvj=25OC

100

nA

rGint

Rintangan Dalaman Gate

2.0

Ω

Cies

Kapasiti input

VCE=25V,f=100kHz, VGE=0V

6.58

NF

Coes

Kapacitans Output

0.40

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.19

NF

QG

Bayaran pintu

VGE=-15…+15V

0.49

μC

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC= 75A,    rG=4.7Ω,

VGE=±15V, Ls=40nH,

tvj=25OC

41

n

tr

Masa naik

135

n

td (((off)

Matikan Masa Lembapan

87

n

tF

Waktu kejatuhan

255

n

Epada

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.5

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

3.6

mJ

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC= 75A,    rG=4.7Ω,

VGE=±15V, Ls=40nH,

tvj=150OC

46

n

tr

Masa naik

140

n

td (((off)

Matikan Masa Lembapan

164

n

tF

Waktu kejatuhan

354

n

Epada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.6

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.3

mJ

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC= 75A,    rG=4.7Ω,

VGE=±15V, Ls=40nH,

tvj= 175OC

46

n

tr

Masa naik

140

n

td (((off)

Matikan Masa Lembapan

167

n

tF

Waktu kejatuhan

372

n

Epada

Hidupkan Penukaran Kerugian

18.7

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.7

mJ

SayaSC

Data SC

tP≤10μs,VGE=15V,

tvj= 175OC,VCC=800V, VCEM≤1200V

300

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VF

Dioda Maju voltan

SayaF= 75A,VGE=0V,Tvj= 25OC

1.75

2.20

V

SayaF= 75A,VGE=0V,Tvj=150OC

1.75

SayaF= 75A,VGE=0V,Tvj=175OC

1.75

trr

Dioda Balik  Masa Pemulihan

Vr=600V,IF= 75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tvj=25OC

267

n

Qr

Caj Dipulihkan

4.2

μC

SayaRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

22

A

EREC

Pemulihan Terbalik tenaga

1.1

mJ

trr

Dioda Balik  Masa Pemulihan

Vr=600V,IF= 75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tvj=150OC

432

n

Qr

Caj Dipulihkan

9.80

μC

SayaRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

33

A

EREC

Pemulihan Terbalik tenaga

2.7

mJ

trr

Dioda Balik  Masa Pemulihan

Vr=600V,IF= 75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tvj= 175OC

466

n

Qr

Caj Dipulihkan

11.2

μC

SayaRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

35

A

EREC

Pemulihan Terbalik tenaga

3.1

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

rthJC

Junction-to-Case (per IGBT)Junction-to-Case (per Diode)

0.176 0.371

K/W

rthJA

Sambungan-ke-Ambient

40

K/W