IGBT Diskret

Simbol

Penerangan

nilai

unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

SayaC

Arus Pengumpul @ TC=25OC

@ TC= 110OC

50

25

A

SayaCM

Arus Pengumpul Berdenyut tPterhad oleh Tjmax

100

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ Tj= 175OC

573

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

tjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +175

OC

tSTG

Suhu penyimpananJulat

-55 hingga +150

OC

tS

Suhu Penyolderan,1.6mm darikes untuk 10s

260

OC

m

Tork Pemasangan, Skrup M3

0.6

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VCE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

SayaC=25A,VGE=15V,

tj=25OC

1.70

2.15

V

SayaC=25A,VGE=15V,

tj=125OC

1.95

SayaC=25A,VGE=15V,

tj=150OC

2.00

VGE(th)

Ambang Gate-Emitter voltan

SayaC=0.63mA,VCE=VGE, tj=25OC

5.2

6.0

6.8

V

SayaCES

Kolektor Potongan-dimatikan

Semasa

VCE=VCES,VGE=0V,

tj=25OC

1.0

mA

SayaGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

VGE=VGES,VCE=0V,tj=25OC

400

nA

rGint

Rintangan Gerbang Dalamanance

0

Ω

Cies

Kapasiti input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

2.59

NF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.07

NF

QG

Bayaran pintu

VGE=-15…+15V

0.19

μC

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC=25A,   rG=20Ω,VGE=±15V, tj=25OC

28

n

tr

Masa naik

17

n

tD(dimatikan)

Matikan Masa Lembapan

196

n

tF

Waktu kejatuhan

185

n

Epada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

1.71

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

1.49

mJ

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC=25A,   rG=20Ω,VGE=±15V, tj=125OC

28

n

tr

Masa naik

21

n

tD(dimatikan)

Matikan Masa Lembapan

288

n

tF

Waktu kejatuhan

216

n

Epada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.57

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

2.21

mJ

tD(pada)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC=25A,   rG=20Ω,VGE=±15V, tj=150OC

28

n

tr

Masa naik

22

n

tD(dimatikan)

Matikan Masa Lembapan

309

n

tF

Waktu kejatuhan

227

n

Epada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.78

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

2.42

mJ

SayaSC

Data SC

tP≤10μs,VGE=15V,

tj=150OC,VCC=900V, VCEM≤1200V

100

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VF

Dioda Maju

voltan

SayaF=25A,VGE=0V,Tj=25OC

2.20

2.65

V

SayaF=25A,VGE=0V,Tj= 125OC

2.30

SayaF=25A,VGE=0V,Tj= 150OC

2.25

Qr

Caj Dipulihkan

Vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj=25OC

1.43

μC

SayaRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

34

A

EREC

Pemulihan Terbaliktenaga

0.75

mJ

Qr

Caj Dipulihkan

Vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj= 125OC

2.4

μC

SayaRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

42

A

EREC

Pemulihan Terbaliktenaga

1.61

mJ

Qr

Caj Dipulihkan

Vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj= 150OC

2.6

μC

SayaRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

44

A

EREC

Pemulihan Terbaliktenaga

2.10

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

rthJC

Junction-to-Case (per IGBT)

Junction-to-Case (per Diode)

0.262

0.495

K/W

rthJA

Sambungan-ke-Ambient

40

K/W