IGBT Diskret

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

650

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =135 O C

240

120

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor Semasa t P terhad oleh t jmax

360

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

893

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

650

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan semasa @ T C =25 O C @ T C =80 O C

177

120

A

Saya FM

Dioda Maksimum Maju Semasa t P terhad oleh t jmax

360

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +175

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-55 hingga +150

O C

t S

Suhu pengimpalan,1.6mm f Rom kes untuk 10s

260

O C

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =120A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

Saya C =120A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

Saya C =120A,V GE =15V, t j = 175 O C

1.75

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =1.92 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

250

uA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

200

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

/

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

14.1

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.42

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =120A, r G =7.5Ω,

V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =25 O C

68

n

t r

Masa naik

201

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

166

n

t F

Waktu kejatuhan

54

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

7.19

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

2.56

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =120A, r G =7.5Ω,

V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =150 O C

70

n

t r

Masa naik

207

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

186

n

t F

Waktu kejatuhan

106

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

7.70

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

2.89

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC = 300V,I C =120A, r G =7.5Ω,

V GE =±15V, L S =40 nH ,t j = 175 O C

71

n

t r

Masa naik

211

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

195

n

t F

Waktu kejatuhan

139

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

7.80

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

2.98

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =300V, V CEM ≤650V

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =120A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya F =120A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Saya F =120A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.60

t rr

Dioda Balik Masa Pemulihan

V r = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L S =40 nH ,t j =25 O C

184

n

Q r

Caj Dipulihkan

1.65

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

17.2

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

0.23

mJ

t rr

Dioda Balik Masa Pemulihan

V r = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L S =40 nH ,t j =150 O C

221

n

Q r

Caj Dipulihkan

3.24

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

23.1

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

0.53

mJ

t rr

Dioda Balik Masa Pemulihan

V r = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L S =40 nH ,t j = 175 O C

246

n

Q r

Caj Dipulihkan

3.98

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

26.8

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

0.64

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per D iode)

0.168 0.369

K/W

r thJA

Sambungan-ke-Ambient

40

K/W