GD900SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 900A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD900SGY120C2S

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Ciri-ciri

Tipikal Permohonan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1410 900	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	1800	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C	5000	W

Dioda

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Tegangan Terbalik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	900	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	1800	A

modul

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =900A,V GE =15V, t j =25 O C		1.80	2.25	V
		Saya C =900A,V GE =15V, t j =125 O C		2.10
		Saya C =900A,V GE =15V, t j =150 O C		2.15
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			0.6		Ω
Q G	Bayaran pintu	V GE =- 15V…+15V		7.40		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =900A, r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j =25 O C		257		n
t r	Masa naik			96		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			628		n
t F	Waktu kejatuhan			103		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			43		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			82		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =900A, r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j = 125O C		268		n
t r	Masa naik			107		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			659		n
t F	Waktu kejatuhan			144		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			59		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			118		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =900A, r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j = 150O C		278		n
t r	Masa naik			118		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			680		n
t F	Waktu kejatuhan			155		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			64		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			134		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		3600		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =900A,V GE =0V,T j =25 O C		1.71	2.16	V
		Saya F =900A,V GE =0V,T j = 125O C		1.74
		Saya F =900A,V GE =0V,T j = 150O C		1.75
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C		76		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			513		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			38.0		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C		143		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			684		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			71.3		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C		171		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			713		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			80.8		mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang			20	nH
r CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, terminal ke cip		0.18		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per D iode)			0.030 0.052	K/W
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.016 0.027 0.010		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Berat bagi modul		300		G