GD900HFX120P1SA,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT 1200V

GD900HFX120P1SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 900A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD900HFX120P1SA

Pengenalan
Gambaran Ringkas

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 900A.

Ciri-ciri

Rendah V CE (sat ) parit IGBT Teknologi
10μs keupayaan litar pintas ility
V CE (sat ) Dengan positif Suhu Pepejal
Maksimum suhu persimpangan 175O C
Rendah induktans Kes
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Keupayaan kuasa tinggi dan kitaran terma iaitu

Tipikal Permohonan

Penukar kuasa tinggi
Tenaga solar
Kenderaan hibrid dan elektrik

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1522 900	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	1800	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C	5.24	kw

Dioda

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V RRM	Tegangan Terbalik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	900	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	1800	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Suhu penyimpanan Julat	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =900A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya C =900A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		Saya C =900A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			0.63		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		93.2		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		2.61		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =-15 ﹍+15V		6.99		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω, V GE =±15V, t j =25 O C		214		n
t r	Masa naik			150		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			721		n
t F	Waktu kejatuhan			206		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			76		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			128		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω, V GE =±15V, t j =125 O C		235		n
t r	Masa naik			161		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			824		n
t F	Waktu kejatuhan			412		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			107		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			165		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω, V GE =±15V, t j =150 O C		235		n
t r	Masa naik			161		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			876		n
t F	Waktu kejatuhan			464		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			112		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			180		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V		3600		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =900A,V GE =0V,T j =25 O C		1.90	2.25	V
		Saya F =900A,V GE =0V,T j = 125O C		1.85
		Saya F =900A,V GE =0V,T j = 150O C		1.80
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j =25 O C		86		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			475		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			36.1		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j = 125O C		143		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			618		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			71.3		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j = 150O C		185		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			665		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			75.1		mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
ΔR/R	Pengecualian bagi r 100	t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		18		nH
r CC’+EE’	Rintangan Modul, Terminal Ke Cip		0.30		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per D iode)			28.6 51.9	K/kW
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)		14.0 25.3 4.5		K/kW
m	Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrin M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10 6.0	N.M
G	Berat bagi modul		825		G