1200V 800A
Pendahuluan ringkas
modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 800A.
Ciri-ciri
Tipikal Permohonan
Absolut Maksimum Penilaian t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Penerangan | GD800HFT120C3S | Unit |
V CES | Voltan kolektor-emiter | 1200 | V |
V GES | Voltan penyiaran pintu | ±20 | V |
Saya C | Arus Pengumpul @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃ | 1400 800 | A |
Saya CM | Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms | 1600 | A |
Saya F | Arus Maju Berterusan Diod =0V, @ T C =80 ℃ | 800 | A |
Saya FM | Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms | 1600 | A |
P D | Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =1 75℃ | 4.2 | kw |
t jmax | Suhu Sambungan Maksimum | 175 | ℃ |
t STG | Suhu penyimpanan Julat | -40 hingga +125 | ℃ |
V ISO | Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min | 2500 | V |
Pemasangan Tork | Skru Terminal Isyarat:M4 | 1.8 hingga 2.1 |
|
Skru Terminal Kuasa:M8 | 8.0 hingga 10 | N.M | |
Skru Pemasangan:M6 | 4.25 hingga 5.75 |
|
Elektrik Ciri-ciri bagi IGBT t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat
Ciri-ciri Off
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit |
V (BR )CES | Kolektor-Pemancar Voltan Runtuh | t j =25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Saya CES | Kolektor Potongan -dimatikan Semasa | V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Saya GES | Kebocoran Gate-Emitter Semasa | V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 400 | nA |
Ciri-ciri On
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit |
V GE (th ) | Ambang Gate-Emitter voltan | Saya C = 32.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
V CE(sat) |
Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh | Saya C = 800A,V GE =15V, t j =25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Saya C = 800A,V GE =15V, t j =125 ℃ |
| 2.00 |
|
Ciri-ciri Switching
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit |
t D (pada ) | Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C = 800A, r Gon =3.3Ω, r Goff =0.39Ω, V GE = ± 15V,T j =25 ℃ |
| 605 |
| n |
t r | Masa naik |
| 225 |
| n | |
t D (dimatikan ) | Matikan Masa Lembapan |
| 830 |
| n | |
t F | Waktu kejatuhan |
| 155 |
| n | |
E pada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| / |
| mJ | |
E dimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| / |
| mJ | |
t D (pada ) | Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C = 800A, r Gon =3.3Ω, r Goff =0.39Ω, V GE = ± 15V,T j =125 ℃ |
| 670 |
| n |
t r | Masa naik |
| 220 |
| n | |
t D (dimatikan ) | Matikan Masa Lembapan |
| 960 |
| n | |
t F | Waktu kejatuhan |
| 175 |
| n | |
E pada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 161 |
| mJ | |
E dimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 124 |
| mJ | |
C ies | Kapasiti input | V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
| 57.7 |
| NF |
C oes | Kapacitans Output |
| 3.02 |
| NF | |
C res | Pemindahan Balik Kapasitans |
| 2.62 |
| NF | |
Saya SC |
Data SC | t P ≤10μs,V GE =15 V, t j =125 ℃, V CC =900V, V CEM ≤1200V |
|
3200 |
|
A |
r Gint | Rintangan Gerbang Dalaman ance |
|
| 1.25 |
| Ω |
L CE | Induktans Terbuang |
|
| 20 |
| nH |
r CC’+EE’ | Kepala Modul rintangan, terminal ke cip |
|
|
0.18 |
| mΩ |
Elektrik Ciri-ciri bagi Dioda t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit | |
V F | Dioda Maju voltan | Saya F =800A | t j =25 ℃ |
| 1.65 | 2.10 | V |
t j =125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r | Dipulihkan cas | Saya F = 800A, V r =600V, r Gon =0.9Ω, V GE =-15V | t j =25 ℃ |
| 86 |
| μC |
t j =125 ℃ |
| 160 |
| ||||
Saya RM | Puncak Terbalik arus pemulihan | t j =25 ℃ |
| 560 |
| A | |
t j =125 ℃ |
| 720 |
| ||||
E REC | Pemulihan Terbalik tenaga | t j =25 ℃ |
| 38.0 |
| mJ | |
t j =125 ℃ |
| 70.0 |
| ||||
Ciri-ciri Terma ikat sosial
Simbol | Parameter | - TIP. | Max. | Unit |
r θ JC | Junction-to-Case (per IGB T) |
| 35.6 | K/kW |
r θ JC | Junction-to-Case (per D iode) |
| 62.0 | K/kW |
r θ CS | Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied) | 6 |
| K/kW |
Berat | Berat modul | 1500 |
| G |
Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.
EN
