Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1050

800

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

4.85

kw

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

800

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1600

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =25 O C

2.50

2.95

V

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =125 O C

3.00

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =150 O C

3.10

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 32.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.4

7.4

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.84

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

6.2

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 800A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

235

n

t r

Masa naik

110

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

390

n

t F

Waktu kejatuhan

145

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

216

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

152

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 800A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

250

n

t r

Masa naik

120

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

475

n

t F

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

280

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

232

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 800A,

r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

254

n

t r

Masa naik

125

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

500

n

t F

Waktu kejatuhan

160

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

312

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

256

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2480

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F = 800A,V GE =0V, T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F = 800A,V GE =0V, T j = 125O C

1.95

Saya F = 800A,V GE =0V, T j = 150O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

232

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

720

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

134

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

360

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

840

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

222

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j = 150O C

424

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

880

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

259

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.37

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

30.9

49.0

K/kW

r θ CS

Kes-ke-Sink (per IGBT)

Kasus-ke-Sink (setiap Dioda)

19.6

31.0

K/kW

r θ CS

Kes-ke-Sink

6.0

K/kW

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat bagi modul

1500

G