Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

GD600HFT170C3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

950

A

600

Saya CM(1)

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

1200

A

Saya F

Diod berterusan ke hadapan arus nt

600

A

Saya FM

Dioda Maksimum arus ke hadapan nt

1200

A

P D

Kuasa maksimum Penghapusan @ t j = 175 ℃

3571

W

t j

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Pemasangan

Tork

Terminal kuasa Skrin:M4

Terminal kuasa Skrin:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Pemasangan Skru:M6

4.25 hingga 5.75

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR) CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1700

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C =24mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.40

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

7.0

μC

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =600A, r Gon =2.4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 ℃

650

n

t r

Masa naik

155

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1300

n

t F

Waktu kejatuhan

180

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

125

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

186

mJ

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =600A, r Gon =2.4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 ℃

701

n

t r

Masa naik

198

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1590

n

t F

Waktu kejatuhan

302

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

186

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

219

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

52.8

NF

C oes

Kapacitans Output

2.20

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.75

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 ℃ ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.3

Ω

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A

t j =25 ℃

1.80

2.20

V

t j =125 ℃

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =600A,

V r =900V,

di/dt=-3800A/μs, V GE =-15V

t j =25 ℃

580

μC

t j =125 ℃

640

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

160

A

t j =125 ℃

258

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

96

mJ

t j =125 ℃

171

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θJC

Gabungan-ke-Kes (per IGBT)

42

K/kW

r θJC

Junction-to-Case (per D iode)

94

K/kW

r θCS

Kes-ke-Sink

(Menggunakan lemak konduktif, per Modul)

6

K/kW

Berat

Berat modul

1500

G