Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD450HFT120C6S_G8

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 ℃

@ T C =100 ℃

660

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

900

A

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

900

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =17 5℃

2083

W

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 hingga 6.0

3.0 hingga 6.0

N.M

G

Berat bagi modul

910

G

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j =25 ℃

360

n

t r

Masa naik

140

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

550

n

t F

Waktu kejatuhan

146

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

11.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.5Ω,

V GE =±15V, t j =125 ℃

374

n

t r

Masa naik

147

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

623

n

t F

Waktu kejatuhan

178

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

17.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

64.5

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.26

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =125 ℃ ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1800

A

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.67

Ω

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Kepala Modul

rintangan,

terminal ke cip

1.10

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =450A

t j =25 ℃

1.65

2.25

V

t j =125 ℃

1.65

Q r

Dipulihkan

cas

Saya F =450A,

V r =600V,

r G = 1.5Ω,

V GE =-15V

t j =25 ℃

41.6

μC

t j =125 ℃

77.5

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

241

A

t j =125 ℃

325

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

23.2

mJ

t j =125 ℃

43.1

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

disipasi kuasa

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.072

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (per Di ode)

0.110

K/W

r θ CS

Kasus-ke-Sink (Gres konduktif) (diletakkan)

0.005

K/W