Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

GD3600SGT170C4S

Unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul@ TC=25℃

Arus Pengumpul@ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Arus Pengumpul Berdenyut tp= 1ms

7200

A

IF

Arus Terus Diode

3600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Dioda

7200

A

PD

Daya Maksimum Pembaziran @ Tj= 175℃

19.7

kw

Tj

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

VISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Skru Terminal Isyarat:M4

Skru Terminal Kuasa:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Tork

Skru Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V ((BR) CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

Tj=25℃

1700

V

ICES

Arus pemotongan kolektor

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

VGE(th)

Ambang Gate-Emitter

voltan

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

Qg

Bayaran pintu

VGE=- 15…+15V

42.0

μC

RGint

Resistor Gate Dalaman

Tj=25℃

0.5

Ω

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

n

tr

Masa naik

205

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

1510

n

TF

Waktu kejatuhan

185

n

EON

Kerugian Suis Hidup

498

mJ

EOFF

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

1055

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

n

tr

Masa naik

225

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

1800

n

TF

Waktu kejatuhan

325

n

EON

Kerugian Suis Hidup

746

mJ

EOFF

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

1451

mJ

Ces

Kapasiti input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Kapacitans Output

13.2

NF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

10.5

NF

ISC

Data SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

A

LCE

Induktans Terbuang

10

nH

RCC’+EE ’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

VF

Dioda Maju

voltan

IF=3600A

Tj=25℃

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Caj Dipulihkan

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25℃

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

Arus Pemulihan Balik

Tj=25℃

2800

A

Tj= 125℃

3300

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

Tj=25℃

590

mJ

Tj= 125℃

1051