Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

GD300SGT170C2S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

550

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms

600

A

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

@ T C =80 ℃

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =1 75℃

2239

W

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Pemasangan Tork

Skru Terminal Kuasa:M4

Skru Terminal Kuasa:M6

1.1 hingga 2.0

2.5 hingga 5.0

N.M

Skru Pemasangan:M6

3.0 hingga 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1700

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 12.0mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.40

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

281

n

t r

Masa naik

82

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

801

n

t F

Waktu kejatuhan

121

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

70.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

65.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃

303

n

t r

Masa naik

103

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1002

n

t F

Waktu kejatuhan

203

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

105

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

94.0

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.6

NF

C oes

Kapacitans Output

1.11

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.88

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15 V,

t j =125 ℃, V CC = 1000 V, V CEM ≤1700V

1200

A

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.1

Ω

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Kepala Modul

rintangan,

terminal ke cip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =300A

t j =25 ℃

1.80

2.20

V

t j =125 ℃

1.90

Q r

Dipulihkan

cas

Saya F =300A,

V r =900V,

r G =4.7Ω,

V GE =-15V

t j =25 ℃

77

μC

t j =125 ℃

131

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

351

A

t j =125 ℃

383

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

40.0

mJ

t j =125 ℃

72.0

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.067

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (per D iode)

0.124

K/W

r θ CS

Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)

0.035

K/W

Berat

Berat modul

300

G