Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

490

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

2027

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

2.40

2.85

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.80

Saya C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.90

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.3

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.69

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.31

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

200

n

t r

Masa naik

97

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

410

n

t F

Waktu kejatuhan

370

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

82.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

60.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

250

n

t r

Masa naik

99

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

630

n

t F

Waktu kejatuhan

580

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

115

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

90.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

260

n

t r

Masa naik

105

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

670

n

t F

Waktu kejatuhan

640

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

125

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

100

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

90.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

270

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

45.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

135

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

315

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

75.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

160

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

330

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

84.0

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C = 100O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

disipasi kuasa

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

1.10

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.074

0.121

K/W

r θ CS

Kes-ke-Sink (per IGBT)

Kasus-ke-Sink (setiap Dioda)

0.029

0.047

K/W

r θ CS

Kes-ke-Sink

0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat modul

350

G