Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

430

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

1851

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

2.40

2.85

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.80

Saya C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.90

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.3

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.72

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.8

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

464

n

t r

Masa naik

157

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

421

n

t F

Waktu kejatuhan

290

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

108

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

55.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, t j =125 O C

483

n

t r

Masa naik

161

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

465

n

t F

Waktu kejatuhan

538

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

128

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

83.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, t j =150 O C

492

n

t r

Masa naik

165

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

483

n

t F

Waktu kejatuhan

747

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

141

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

92.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j = 150O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

960

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

Saya F =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

70

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

209

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

40.7

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

108

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

238

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

65.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

123

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

253

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

71.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.25

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.081

0.138

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.032

0.054

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G