Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD2400SGT120C3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

3400

A

2400

Saya CM (1)

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

4800

A

Saya F

Arus Terus Diode

2400

A

Saya FM

Arus Muka Maksimum Diode =0V,

4800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 150℃

9.6

kw

t j

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Terminal Isyarat Skrin:M4

Terminal kuasa Skrin:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Tork

Pemasangan Skru:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C = 96 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C = 2400A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

Saya C = 2400A,V GE =15V, t j = 125℃

2.00

2.45

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

23.0

μC

r Gint

Resistor Gate Dalaman

t j =25 ℃

0.8

Ω

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 2400A, r Gon = 1.2Ω,

r Goff =0.3Ω

V GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

n

t r

Masa naik

215

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

815

n

t F

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

/

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

/

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 2400A, r Gon = 1.2Ω,

r Goff =0.3Ω

V GE = ± 15V,T j = 125℃

665

n

t r

Masa naik

235

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

970

n

t F

Waktu kejatuhan

185

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

491

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

379

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

172

NF

C oes

Kapacitans Output

9.01

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

7.81

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

9600

A

L CE

Induktans Terbuang

12

nH

r CC ’+ EE ’

Resistans Pangkalan Modul ce, terminal ke cip

0.19

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F = 2400A

t j =25 ℃

1.65

2.15

V

t j = 125℃

1.65

2.15

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F = 2400A,

V r =600V,

r Gon = 1.2Ω,

V GE =- 15V

t j =25 ℃

240

μC

t j = 125℃

450

Saya RM

Pemulihan Terbalik Semasa

t j =25 ℃

1600

A

t j = 125℃

2200

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

65

mJ

t j = 125℃

120

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

13

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (per Di ode)

23

K/kW

r θ CS

Kes-ke-Sink

(Menggunakan lemak konduktif, per Modul)

6

K/kW

Berat

Berat bagi modul

1500

G