GD225HTT120C7S, Modul IGBT, 6 dalam satu-pakej, STARPOWER

GD225HTT120C7S,Modul IGBT,6 dalam satu-pakej,STARPOWER

1200V 225A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD225HTT120C7S

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 225A.

Ciri-ciri

Pembolehubah Tipikal

IGBT -Inverter t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Nilai Nomer Maksimum

Simbol	Penerangan	GD225HTT120C7S	Unit
V CES	Voltan kolektor-emiter @ T j =25 ℃	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu @ T j =25 ℃	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃	400 225	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms	450	A
P tot	Jumlah Pembaziran Kuasa @ T j = 175 ℃	1442	W

Ciri-ciri Off

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V (BR )CES	Kolektor-Pemancar Voltan Runtuh	t j =25 ℃	1200			V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃			400	nA

Ciri-ciri On

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =225A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.70	2.15	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =225A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.00		V

Ciri-ciri Switching

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =225A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		251		n
t r	Masa naik			89		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			550		n
t F	Waktu kejatuhan			125		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			/		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			/		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =225A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃		305		n
t r	Masa naik			100		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			660		n
t F	Waktu kejatuhan			162		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			15.1		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			35.9		mJ
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		16.0		NF
C oes	Kapacitans Output			0.84		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans			0.73		NF
Q G	Bayaran pintu	V CC =600V,I C =225A, V GE =15V		2.1		μC
r Gint	Resistor Gerbang Dalaman			3.3		Ω
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15 V, t j =125 ℃, V CC =900V, V CEM ≤1200V		900		A

Dioda -Inverter t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Nilai Nomer Maksimum

Simbol	Penerangan	GD225HTT120C7S	Unit
V RRM	Voltan Terbalik Puncak Berulang @ T j =25 ℃	1200	V
Saya F	Arus Maju DC @ T C =80 ℃	225	A
Saya Pendapatan	Arus Maju Puncak Berulang t P =1ms	450	A

Ciri-ciri Nilai

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian		Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =225A, V GE =0V	t j =25 ℃		1.65	2.15	V
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =225A, V GE =0V	t j =125 ℃		1.65		V
Q r	Caj Dipulihkan	Saya F =225A, V r =600V, r G =3.3Ω, V GE =-15V	t j =25 ℃		22		μC
Q r	Caj Dipulihkan		t j =125 ℃		43		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan		t j =25 ℃		160		A
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan		t j =125 ℃		198		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga		t j =25 ℃		11.2		mJ
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga		t j =125 ℃		19.9		mJ

Elektrik Ciri-ciri bagi NTC t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

modul IGBT

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min		2500		V
L CE	Induktans Terbuang		20		nH
r CC’+EE’	Rintangan pemimpin modul e,Penghujung kepada Cip @ T C =25 ℃		1.10		mΩ
r θ JC	Sambungan-ke-Kes (setiap IGBT-inverter) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er)			0.104 0.173	K/W
r θ CS	Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)		0.005		K/W
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum			175	℃
t STG	Suhu penyimpanan Julat	-40		125	℃
Pemasangan Tork	Skru Terminal Kuasa:M6 Pemasangan Skrin:M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Berat modul		910		G