Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD200SGL120C2S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

400

A

200

Saya CM (1)

Arus Kolektor Berpulsa nt

400

A

Saya F

Arus Terus Diode

200

A

Saya FM

Arus Muka Maksimum Diode =0V,

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175℃

1875

W

t SC

Masa Tahan Litar Pintas @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t j

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

Saya 2nilai-t, Diode

V r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

6900

A 2S

V ISO

Voltan Pengasingan RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Tork Pemasangan

Skru Terminal Kuasa:M6

2.5 hingga 5

N.M

Pemasangan Skru:M6

3 kepada 6

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

BV CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C =4 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.8

V

Saya C =200A,V GE =15V, t j = 125℃

2.0

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A,

r G =5Ω, V GE = ± 15V,

110

n

t r

Masa naik

60

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

t j =25 ℃

360

n

t F

Waktu kejatuhan

V CC =600V,I C =200A,

r G =5Ω, V GE = ± 15V,

t j =25 ℃

60

n

E pada

Penghidupan Suis Kerugian

18

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

15

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A,

r G =5Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125℃

120

n

t r

Masa naik

60

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

420

n

t F

Waktu kejatuhan

70

n

E pada

Penghidupan Suis Kerugian

21

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

18

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.0

NF

C oes

Kapacitans Output

1.64

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.72

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs, V GE =15 V,

t j =125 ℃ , V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

1080

A

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE ’

Kepala Modul

rintangan, terminal kepada Cip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =200A

t j =25 ℃

2.0

2.2

V

t j = 125℃

2.2

2.3

Q r

Dioda Balik

Bayaran pemulihan

Saya F =200A,

V r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE =- 15V

t j =25 ℃

24

μC

t j = 125℃

32

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik Semasa

t j =25 ℃

240

A

t j = 125℃

280

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

6

mJ

t j = 125℃

10

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-ke-Kes (Bahagian IGBT, pe r Modul)

0.08

K/W

r θ JC

Junction-ke-Kes (Bahagian DIODE, per Modul e)

0.17

K/W

r θ CS

Kes-ke-Penyerapan (Minyak pelincir konduktif a pplied)

0.035

K/W

Berat

Berat bagi modul

310

G