Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD200MLT120C2S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter @ T j =25 ℃

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu @ T j =25 ℃

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

360

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms

400

A

P tot

Jumlah Pembaziran Kuasa @ T j = 175 ℃

1163

W

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =3.6Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

248

n

t r

Masa naik

88

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

540

n

t F

Waktu kejatuhan

131

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

9.85

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

22.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =3.6Ω,V GE =±15V, t j = 125℃

298

n

t r

Masa naik

99

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

645

n

t F

Waktu kejatuhan

178

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

15.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

34.9

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

14.4

NF

C oes

Kapacitans Output

0.75

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.65

NF

Q G

Bayaran pintu

V CC =600V,I C =200A, V GE =-15 ﹍+15V

1.90

μC

r Gint

Resistor Gerbang Dalaman

3.8

Ω

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15 V,

t j =125 ℃,V CC =900V, V CEM ≤1200V

800

A

Simbol

Penerangan

GD200MLT120C2S

Unit

V RRM

Voltan Terbalik Puncak Berulang @ T j =25 ℃

1200

V

Saya F

Arus Muka DC T C =8 0℃

200

A

Saya Pendapatan

Arus Maju Puncak Berulang t P =1ms

400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =200A

t j =25 ℃

1.65

2.10

V

t j =125 ℃

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =200A,

V r =600V,

r G =3.6Ω,

V GE =-15V

t j =25 ℃

20.0

μC

t j =125 ℃

26.1

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

151

A

t j =125 ℃

190

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

9.20

mJ

t j =125 ℃

17.1

Simbol

Penerangan

GD200MLT120C2S

Unit

V RRM

Voltan Terbalik Puncak Berulang @ T j =25 ℃

1200

V

Saya F

Arus Muka DC T C =8 0℃

200

A

Saya Pendapatan

Arus Maju Puncak Berulang t P =1ms

400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =200A,

V GE =0V

t j =25 ℃

1.65

2.10

V

t j =125 ℃

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =200A,

V r =600V,

r G =3.6Ω,

V GE =-15V

t j =25 ℃

20.0

μC

t j =125 ℃

26.1

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

151

A

t j =125 ℃

190

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

9.20

mJ

t j =125 ℃

17.1

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

r θ JC

Sambungan-ke-Kes (setiap IGBT T1 T2 T3 T4) Sambungan-ke-Kes (setiap Dioda D1 D2 D3 D4) Sambungan-ke-Kes (setiap Dioda D5 D6)

0.129 0.237 0.232

K/W

r θ CS

Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)

0.035

K/W

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40

150

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40

125

℃

Pemasangan Tork

Skru Terminal Kuasa:M6

Skru Pemasangan:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

Berat

Berat modul

340

G