Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 ℃

@ T C =100 ℃

330

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =17 5℃

1103

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃

1.95

Saya C =200A,V GE =15V, t j =150 ℃

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

18.2

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.56

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =15V

1.20

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

213

n

t r

Masa naik

64

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

280

n

t F

Waktu kejatuhan

180

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

4.10

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

16.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃

285

n

t r

Masa naik

78

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

363

n

t F

Waktu kejatuhan

278

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

7.40

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

23.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =150 ℃

293

n

t r

Masa naik

81

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

374

n

t F

Waktu kejatuhan

327

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

8.70

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

25.2

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 ℃ ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya C =200A,V GE =0V,T j =25 ℃

2.15

2.55

V

Saya C =200A,V GE =0V,T j =125 ℃

2.20

Saya C =200A,V GE =0V,T j =150 ℃

2.15

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =200A,

r G =3.0Ω, V GE =-15V

t j =25 ℃

16.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

169

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

10.2

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =200A,

r G =3.0Ω, V GE =-15V

t j =125 ℃

24.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

204

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

16.2

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =200A,

r G =3.0Ω, V GE =-15V

t j =150 ℃

31.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

222

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

19.4

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

26

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce,Penghujung ke Cip

0.62

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.136

0.194

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.156

0.223

0.046

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

200

G