GD200HFT120C5S_G8,Modul IGBT,STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
Keupayaan litar pintas 10μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Suhu sambungan maksimum 175oC
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

Inverter untuk pemacu motor
Penguat pemacu servo AC dan DC
Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	± 30	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C	310 200	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	400	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C	1034	W

Dioda

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Tegangan Terbalik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	200	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	400	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Suhu penyimpanan Julat	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min	2500	V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		Saya C =200A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.0	5.8	6.5	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			1.0		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		18.2		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		0.56		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =15V		1.20		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		213		n
t r	Masa naik			64		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			280		n
t F	Waktu kejatuhan			180		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			4.10		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			16.3		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		285		n
t r	Masa naik			78		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			363		n
t F	Waktu kejatuhan			278		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			7.40		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			23.0		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C		293		n
t r	Masa naik			81		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			374		n
t F	Waktu kejatuhan			327		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			8.70		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			25.2		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V		800		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C		17.5		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			245		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			8.00		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, t j = 125O C		32.0		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			260		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			14.0		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, t j = 150O C		37.5		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			265		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			15.3		mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi r 100	t C = 100O C,R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	disipasi kuasa				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		30		nH
r CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, terminal ke cip		2.20		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per D iode)			0.145 0.243	K/W
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.064 0.107 0.02		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5	3.0 2.5		6.0 5.0	N.M
G	Berat bagi modul		200		G