GD200HFT120C2S_T4F,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C2S_T4F

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Ciri-ciri

Pembolehubah Tipikal

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Penerangan	GD200HFT120C2S_T4F	Unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	300 200	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms	400	A
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	200	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	400	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =1 75℃	1119	W
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	℃
t jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	℃
t STG	Suhu penyimpanan Julat	-40 hingga +125	℃
V ISO	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V
Pemasangan Tork	Skru Terminal Kuasa:M6 Skru Pemasangan:M6	2.5 hingga 5.0 3.0 hingga 5.0	N.M
Berat	Berat modul	300	G

Elektrik Ciri-ciri bagi IGBT t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Ciri-ciri Off

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V (BR )CES	Kolektor-Pemancar Voltan Runtuh	t j =25 ℃	1200			V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃			400	nA

Ciri-ciri On

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =7.6 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃	5.1	5.8	6.4	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		2.05	2.45	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.40		V

Ciri-ciri Switching

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		362		n
t r	Masa naik			112		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			378		n
t F	Waktu kejatuhan			115		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			17.4		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			9.50		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j = 125℃		364		n
t r	Masa naik			113		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			405		n
t F	Waktu kejatuhan			125		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			21.5		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			15.4		mJ
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.3		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.69		NF
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15 V, t j =125 ℃, V CC =900V, V CEM ≤1200V		800		A
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			3.8		Ω
L CE	Induktans Terbuang				20	nH
r CC’+EE’	Kepala Modul rintangan, terminal ke cip			0.35		mΩ

Elektrik Ciri-ciri bagi Dioda t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian		Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =200A	t j =25 ℃		1.95	2.35	V
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =200A	t j =125 ℃		2.05		V
Q r	Dipulihkan cas	Saya F =200A, V r =600V, r G =4.7Ω, V GE =-15V	t j =25 ℃		10.1		μC
Q r	Dipulihkan cas		t j =125 ℃		21.5		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan		t j =25 ℃		113		A
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan		t j =125 ℃		170		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga		t j =25 ℃		5.07		mJ
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga		t j =125 ℃		13.6		mJ

Ciri-ciri Terma ikat sosial

Simbol	Parameter	- TIP.	Max.	Unit
r θ JC	Junction-to-Case (per IGB T)		0.134	K/W
r θ JC	Junction-to-Case (per D iode)		0.194	K/W
r θ CS	Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)	0.035		K/W