Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

285

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

882

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.0

5.9

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

200

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

17.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.55

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.07

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

296

n

t r

Masa naik

77

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

391

n

t F

Waktu kejatuhan

172

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

4.25

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

16.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

272

n

t r

Masa naik

79

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

423

n

t F

Waktu kejatuhan

232

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

6.45

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

22.6

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

254

n

t r

Masa naik

80

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

430

n

t F

Waktu kejatuhan

280

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

8.30

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

24.3

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

18.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

240

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

8.10

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 125O C

33.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

250

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

14.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 150O C

38.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

260

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

16.0

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

30

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.75

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.170

0.280

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.161

0.265

0.050

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

150

G