GD200HFL120C8SN, Modul IGBT, STARPOWER

GD200HFL120C8SN,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFL120C8SN

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Ciri-ciri

Pembolehubah Tipikal

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Penerangan	GD200HFL120C8SN	Unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	400 200	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1 Ms	400	A
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	200	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	400	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =1 75℃	1724	W
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	℃
t jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	℃
t STG	Suhu penyimpanan Julat	-40 hingga +125	℃
V ISO	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V
Pemasangan Tork	Skru Terminal Kuasa:M5 Skrup Pemasangan: M5	2.5 hingga 3.5 2.5 hingga 3.5	N.M

Elektrik Ciri-ciri bagi IGBT t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Ciri-ciri Off

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V (BR )CES	Kolektor-Pemancar Voltan Runtuh	t j =25 ℃	1200			V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃			400	nA

Ciri-ciri On

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.90	2.35	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.10		V

Ciri-ciri Switching

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		365		n
t r	Masa naik			79		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			396		n
t F	Waktu kejatuhan			165		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			8.00		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			14.0		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃		372		n
t r	Masa naik			83		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			420		n
t F	Waktu kejatuhan			293		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			11.0		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			22.3		mJ
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		14.9		NF
C oes	Kapacitans Output			1.04		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans			0.68		NF
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15 V, t j =125 ℃, V CC =900V, V CEM ≤1200V		1200		A
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			1.0		Ω
L CE	Induktans Terbuang				22	nH
r CC’+EE’	Kepala Modul rintangan, terminal ke cip			0.65		mΩ

Elektrik Ciri-ciri bagi Dioda t C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian		Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F (cip)	Dioda Maju voltan	Saya F =200A	t j =25 ℃		1.80	2.25	V
V F (cip)	Dioda Maju voltan	Saya F =200A	t j =125 ℃		1.85		V
Q r	Dipulihkan cas	Saya F =200A, V r =600V, r G =3.3Ω, V GE =-15V	t j =25 ℃		17.2		μC
Q r	Dipulihkan cas		t j =125 ℃		35.3		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan		t j =25 ℃		160		A
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan		t j =125 ℃		213		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga		t j =25 ℃		11.2		mJ
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga		t j =125 ℃		21.2		mJ

Ciri-ciri Terma ikat sosial

Simbol	Parameter	- TIP.	Max.	Unit
r θ JC	Junction-to-Case (per IGB T)		0.087	K/W
r θ JC	Junction-to-Case (per D iode)		0.160	K/W
r θ CS	Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)	0.046		K/W
Berat	Berat modul	200		G