GD200HFK120C8SN,Modul IGBT,STARPOWER

GD200HFK120C8SN, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFK120C8SN

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Ciri-ciri

Pembolehubah Tipikal

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =80 O C	300 200	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	400	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =150 O C	1157	W

Dioda

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V RRM	Tegangan Terbalik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	200	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	400	A

modul

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		2.15	2.60	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		2.65		V
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	4.8	5.7	6.3	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			1.0		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.9		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.82		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =- 15...+15V		2.05		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		373		n
t r	Masa naik			104		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			459		n
t F	Waktu kejatuhan			168		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			12.9		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			17.1		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		373		n
t r	Masa naik			105		n
t D (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			475		n
t F	Waktu kejatuhan			197		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			17.4		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			23.7		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15V, t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V		1500		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya C =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.65	2.05	V
V F	Dioda Maju voltan	Saya C =200A,V GE =0V,T j =125 O C		1.65		V
Q r	Dipulihkan cas	V r =600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =- 15V t j =25 O C		17.7		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			145		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			8.1		mJ
Q r	Dipulihkan cas	V r =600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =- 15V t j =125 O C		34.0		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			190		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			16.7		mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang			22	nH
r CC’+EE’	Rintangan pemimpin modul e,Penghujung kepada Cip		0.65		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per Di ode)			0.108 0.230	K/W
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)		0.135 0.288 0.046		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Berat bagi modul		200		G