Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD1600SGL120C3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

2500

A

1600

Saya CM(1)

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

3200

A

Saya F

Arus Terus Diode

1600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Dioda

3200

A

P D

Kuasa maksimum Penghapusan @ t j =150 ℃

8.3

kw

t SC

Masa Tahan Litar Pintas @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

Saya 2nilai-t, Diode

V r =0V,t=10ms,T j =125 ℃

300

kA 2S

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Tork

Terminal kuasa Skrin:M4

Terminal kuasa Skrin:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Pemasangan Skru:M6

4.25 hingga 5.75

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

BV CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C =64mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =1600A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.8

V

Saya C =1600A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.0

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

Q GE

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

16.8

μC

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =1600A,

r G =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 ℃

225

n

t r

Masa naik

105

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1100

n

t F

Waktu kejatuhan

100

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

148

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

186

mJ

t D (dalam)

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =1600A,

r G =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 ℃

235

n

t r

Masa naik

105

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1160

n

t F

Waktu kejatuhan

105

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

206

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

239

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

119

NF

C oes

Kapacitans Output

8.32

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

5.44

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 ℃ ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

7000

A

r Gint

Resis Dalaman Pintu tance

0.1

Ω

L CE

Induktans Terbuang

12

nH

r CC ’+ EE ’

Rintangan Pemimpin Modul nce, terminal ke cip

t C =25 ℃

0.19

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =1600A

t j =25 ℃

2.1

V

t j =125 ℃

2.2

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =1600A,

V r =600V,

di/dt=-7500A/μs, V GE =-15V

t j =25 ℃

73

μC

t j =125 ℃

175

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

t j =25 ℃

510

A

t j =125 ℃

790

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

17

mJ

t j =125 ℃

46

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θJC

Sambungan ke Casing (IGBT Part, per Modul)

15

K/kW

r θJC

Junction-to-Case (Bahagian Diode, setiap M odul)

26

K/kW

r θCS

Kes-ke-Sink

(Minyak pelincir digunakan, pe r Modul)

6

K/kW

Berat

Berat modul

1500

G