Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

GD1200HFT120C3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1800

A

1200

Saya CM (1)

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

2400

A

Saya F

Arus Terus Diode

1200

A

Saya FM

Arus Muka Maksimum Diode =0V,

2400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 150℃

5.2

kw

t j

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Terminal Isyarat Skrin:M4

Terminal kuasa Skrin:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Tork

Pemasangan Skru:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

t j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter

voltan

Saya C =48 mA ,V CE = V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C = 1200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

Saya C = 1200A,V GE =15V, t j = 125℃

2.00

2.45

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

11.5

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =1200A,

r Gon =2.4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

n

t r

Masa naik

230

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

820

n

t F

Waktu kejatuhan

150

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

/

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

/

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =1200A,

r Gon =2.4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125℃

660

n

t r

Masa naik

220

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

960

n

t F

Waktu kejatuhan

180

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

246

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

191

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

86.1

NF

C oes

Kapacitans Output

4.50

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

3.90

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

4800

A

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE ’

Rintangan pemimpin modul e, terminal ke cip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F = 1200A

t j =25 ℃

1.65

2.15

V

t j = 125℃

1.65

2.15

Q r

Dioda Balik

Bayaran pemulihan

Saya F = 1200A,

V r =600V,

r Gon =2.4Ω,

V GE =- 15V

t j =25 ℃

69

μC

t j = 125℃

129

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik Semasa

t j =25 ℃

485

A

t j = 125℃

623

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

t j =25 ℃

32

mJ

t j = 125℃

60

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

r θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

24

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (per Di ode)

43

K/kW

r θ CS

Kes-ke-Sink

(Menggunakan lemak konduktif, per Modul)

6

K/kW

Berat

Berat modul

1500

G