Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD1000HFA120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 1000A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HFA120C6S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 1000A.

Ciri-ciri

  • Rendah V CE(sat) IGBT Trench T teknologi
  • keupayaan litar pendek
  • V CE (sat ) Dengan positif Suhu Pepejal
  • Maksimum suhu persimpangan 175O C
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti-paralel
  • Terisolasi Tembaga penang Papan asas menggunakan AMB Teknologi

Tipikal Permohonan

  • Kenderaan hibrid dan elektrik
  • Inverter untuk pemacu motor
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya CN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

1000

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T F =75 O C

765

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

2000

A

P D

Pembahagian Kuasa Maksimum ation @ t F =75 O C ,t j = 175 O C

1515

W

Dioda

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya FN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

1000

A

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

765

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

2000

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ t j =25 O C @T j =150C

4100

3000

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,t P =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

A 2S

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =1000A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

Saya C =1000A,V GE =15V, t j =125 O C

1.65

Saya C =1000A,V GE =15V, t j = 175 O C

1.80

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.36

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

13.6

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

330

n

t r

Masa naik

140

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

842

n

t F

Waktu kejatuhan

84

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

144

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

87.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

373

n

t r

Masa naik

155

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

915

n

t F

Waktu kejatuhan

135

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

186

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

104

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j = 175 O C

390

n

t r

Masa naik

172

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

950

n

t F

Waktu kejatuhan

162

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

209

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

114

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM 1200V

3200

A

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t j = 175 O C,V CC =800V, V CEM 1200V

3000

A

Dioda Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =1000A,V GE =0V,T j = 25O C

1.60

2.05

V

Saya F =1000A,V GE =0V,T j =125 O C

1.70

Saya F =1000A,V GE =0V,T j = 175 O C

1.60

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j =25 O C

91.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

441

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

26.3

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j =125 O C

141

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

493

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

42.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j = 175 O C

174

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

536

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

52.4

mJ

NTC Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

modul Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.80

r thJF

Sambungan -kepada -Penyejukan Cecair (perIGBT )Sambungan-ke-Cecair Penyejuk (setiap Di ode) V/ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C

0.066 0.092

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat bagi modul

400

G

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000