IGBT 모듈 4500V

매개 변수

상징

조건

가치

단위

 컬렉터-이미터 전압

vCES

vGE=0V,tvj=25°c

4500

v

 DC 수집기 c임대료

ic

tc=100°C,Tvj=125°c

2000

a

피크 컬렉터 전류

icm

tp=1ms

4000

a

포트- 그래발산기 전압

vGES

±20

v

전체 전력 분산

ptot

tc=25°C,Tvj=125°c

20800

w

dc 앞면 Cu임대료

if

2000

a

최고 앞선 Cur임대료

iFRM

tp=1ms

4000

a

전류

iFSM

vr=0V,Tvj=125°C,

tp=10ms, 반신파

14000

a

IGBT 단회로 SOA

tpsc

vcc=3400V,vCEM 칩≤4500V vGE≤15V,Tvj≤125°c

10

μs

최대 접점온도

tvj(최대)

125

°C

교차점 작동 온도

tvj(오프)

-40~125

°C

케이스 온도

tc

-40~125

°C

저장 온도

tSTG

-40~70

°C

장착 힘

fm

60~75

kn

매개 변수

상징

조건

가치

단위

미니

전형적인.

최대

수집기-출력기 분산 전압

V ((BR) CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25°C

4500

v

수집기-출사기 포화 전압

VCE(sat)

IC=2000A, VGE=15V

TVj=25°C

2.70

3.05

v

TVj=125°C

3.35

3.85

v

콜렉터-에미터 단절 전류

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

TVj=25°C

1

엄마

TVj=125°C

15

100

엄마

게이트-에미터 누출 전류

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125°C

-500

500

아

포트-에미터 임계 전압

VGE (th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

6.7

7.7

v

게이트 요금

본부

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

입력 용량

시스

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25°C

213

NF

출력 용량

코스

15.3

NF

역전환 용량

크레스

4.7

NF

내부 게이트 저항

RGint

0

오

턴온 지연 시간

td(on)

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH

인덕티브 로드

TVj=25°C

1100

NS

TVj=125°C

900

NS

상승 시간

tr

TVj=25°C

400

NS

TVj=125°C

450

NS

차단 지연 시간

td(off)

TVj=25°C

3800

NS

TVj=125°C

4100

NS

하강 시간

tf

TVj=25°C

1200

NS

TVj=125°C

1400

NS

켜기 전원 전환

EON

TVj=25°C

14240

mj

TVj=125°C

15730

mj

그라운드 스위치 에너지

EOFF

TVj=25°C

6960

mj

TVj=125°C

8180

mj

단락 전류

이스

VGE≤15V, tpsc≤10μs, VCC=3400V, Tvj=125°C

VCEM CHIP≤4500V

8400

a

매개 변수

상징

조건

가치

부대

미니

전형적인.

최대

전압

VF

IF=2000A

TVj=25°C

2.60

v

TVj=125°C

2.85

v

역 회전 전류

Irr

IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH

인덕티브 로드

TVj=25°C

1620

a

TVj=125°C

1970

a

역환수료

Qrr

TVj=25°C

1750

uC

TVj=125°C

2700

uC

역회복 시간

trr

TVj=25°C

4.0

우리

TVj=125°C

5.1

우리

역회복 에너지 손실

Erec

TVj=25°C

2350

mj

TVj=125°C

3860

mj