IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=90oc

900

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

1800

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175oc

3409

w

상징

설명

값

단위

vRRM

반복적 피크 역전압나이

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

900

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1800

a

iFSM

전류 전류 tp=10ms @tj=25oc   @ Tj=150oc

4100

3000

a

i2t

i2t값,tp=10ms @ Tj=25oc

@ Tj=150oc

84000

45000

a2s

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=900A,VGE=15V, tj=25oc

1.40

1.85

v

ic=900A,VGE=15V, tj=125oc

1.60

ic=900A,VGE=15V, tj=175oc

1.65

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=24.0엄마,vc=vGE, tj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

1.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.5

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

51.5

NF

cres

역전환

용량

0.36

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

13.6

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V

tj=25oc

330

NS

tr

상승 시간

140

NS

td(off)

그림 지연 시간

842

NS

tf

하강 시간

84

NS

e에

켜 전환

손실

144

mj

e끄다

그림 전환

손실

87.8

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V

tj=125oc

373

NS

tr

상승 시간

155

NS

td(off)

그림 지연 시간

915

NS

tf

하강 시간

135

NS

e에

켜 전환

손실

186

mj

e끄다

그림 전환

손실

104

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V

tj=175oc

390

NS

tr

상승 시간

172

NS

td(off)

그림 지연 시간

950

NS

tf

하강 시간

162

NS

e에

켜 전환

손실

209

mj

e끄다

그림 전환

손실

114

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 8μs,VGE=15V,

tj=150oC,Vcc=800V, vCEM ≤1200v

3200

a

tp≤6μs,VGE=15V,

tj=175oC,Vcc=800V, vCEM ≤1200v

3000

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=900A,VGE=0V,Tj=25oc

1.55

2.00

v

if=900A,VGE=0V,Tj=125oc

1.65

if=900A,VGE=0V,Tj=175oc

1.55

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,tj=25oc

91.0

μC

irm

피크 역전

회복 전류

441

a

erec

역회복 에너지

26.3

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,tj=125oc

141

μC

irm

피크 역전

회복 전류

493

a

erec

역회복 에너지

42.5

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,tj=175oc

174

μC

irm

피크 역전

회복 전류

536

a

erec

역회복 에너지

52.4

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 r100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력

분산

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B값

r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B값

r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.044

0.076

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe)r 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m

g

무게 의 모듈

350

g