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IGBT 모듈, 1700V 650A
특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 참고
igt
상징 | 설명 | 가치 | 단위 |
vCES | 컬렉터-이미터 전압 | 1700 | v |
vGES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | v |
ic | 집합 전류 @ Tc=25oc @ Tc= 100oc | 1073 650 | a |
icm | 펄스 콜렉터 전류 tp=1ms | 1300 | a |
pd | 최대 전력 분산 @ Tj=175oc | 4.2 | kw |
다이오드
상징 | 설명 | 가치 | 단위 |
vRRM | 반복 피크 역전압 | 1700 | v |
if | 다이오드 연속 전면 커임대료 | 650 | a |
ifm | 다이오드 최대 전류 tp=1ms | 1300 | a |
모듈
상징 | 설명 | 가치 | 단위 |
tjmax | 최대 분기 온도 | 175 | oc |
tjop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | oc |
tSTG | 저장 온도범위 | -40에서 +150 | oc |
viso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 | 4000 | v |
igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | ic=650A,VGE=15V, tj=25oc |
| 1.90 | 2.35 |
v |
ic=650A,VGE=15V, tj=125oc |
| 2.35 |
| |||
ic=650A,VGE=15V, tj=150oc |
| 2.45 |
| |||
vGE(제1회) | 게이트 발산자 문 전압 | ic=24.0엄마,vc=vGE, tj=25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
iCES | 수집가 절단- 그래끄다 전류 | vc=vCES,vGE=0V, tj=25oc |
|
| 5.0 | 엄마 |
iGES | 게이트 발사자 누출 전류 | vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | 아 |
rGint | 내부 게이트 저항ance |
|
| 2.3 |
| 오 |
c소 | 입력 용량 | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 72.3 |
| NF |
cres | 역전환 용량 |
| 1.75 |
| NF | |
qg | 게이트 요금 | vGE=- 15...+15V |
| 5.66 |
| μC |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=650A, rGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,vGE=±15V,Tj=25oc |
| 468 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 86 |
| NS | |
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 850 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 363 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 226 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 161 |
| mj | |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=650A, rGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,vGE=±15V,Tj= 125oc |
| 480 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 110 |
| NS | |
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 1031 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 600 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 338 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 226 |
| mj | |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=650A, rGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,vGE=±15V,Tj= 150oc |
| 480 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 120 |
| NS | |
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 1040 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 684 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 368 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 242 |
| mj | |
isc |
SC 데이터 | tp≤ 10μs,VGE=15V, tj=150oC,Vcc= 1000V, 브CEM≤1700V |
|
2600 |
|
a |
다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vf | 다이오드 앞 전압 | if=650A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.85 | 2.30 |
v |
if=650A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.98 |
| |||
if=650A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 2.02 |
| |||
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15vtj=25oc |
| 176 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 765 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 87.4 |
| mj | |
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc |
| 292 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 798 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 159 |
| mj | |
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc |
| 341 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 805 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 192 |
| mj |
NTC 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
r25 | 등급 저항 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | 오차 의 r100 | tc= 100 oC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | 전력 분산 |
|
|
| 20.0 | mw |
b25/50 | B값 | r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
b25/80 | B값 | r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
b25/100 | B값 | r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
모듈 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
난c | 방랑 인덕턴스 |
| 18 |
| NH |
rCC+EE | 모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
| 0.30 |
| mΩ |
rthJC | 부문별 (IGB당)T) 부대와 부대 (D당)요오드) |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
rthCH | 케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (per 다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | 단자 연결 토크, 나사 M4 터미널 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
n.m |
g | 무게 의 모듈 |
| 810 |
| g |
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