IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD1200SGT120A3S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집자 현재 @tc=25°C

@ Tc=80°C

2100

1200

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

2400

a

if

다이오드 연속 전면 커임대료

1200

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

2400

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175°C

7.61

kw

tjmax

최대 분기 온도

175

°C

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

°C

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

장착 토크

신호 단말 스ikulu:M4

1.8에서 2.1

전원 터미널 나사:M8

8.0에서 10

n.m

장착 나사:M6

4.25 ~ 5.75

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=48엄마,vc=vGE, tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic= 1200A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

ic= 1200A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=1200A,

rGon=1.8Ω,r고프=0.62Ω,vGE=±15V,Tj=25°C

550

NS

tr

상승 시간

230

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

830

NS

tf

하강 시간

160

NS

e에

켜 전환 손실

/

mj

e끄다

그림 전환 손실

/

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic= 1200A    

rGon= 1.8Ω,R고프=0.62Ω,vGE=±15V,Tj=125°C

650

NS

tr

상승 시간

240

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

970

NS

tf

하강 시간

190

NS

e에

켜 전환 손실

246

mj

e끄다

그림 전환 손실

189

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

85.5

NF

c소

출력 용량

4.48

NF

cres

역전환

용량

3.87

NF

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15 v,

tj=125°C

vcc=900V, vCEM≤1200V

4800

a

rGint

내부 관문

저항력

1.9

오

난c

방랑 인덕턴스

15

NH

rCC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.10

mΩ

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if= 1200a

tj=25°C

1.65

2.05

v

tj=125°C

1.65

qr

회복

부과

if= 1200A

vr=600V,

rGon=0.6Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

112

μC

tj=125°C

224

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

850

a

tj=125°C

1070

erec

역회복에너지

tj=25°C

48.0

mj

tj=125°C

96.0

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부문별 (IGB당)T)

19.7

K/kW

rθJC

부대와 부대 (D당)요오드)

31.3

K/kW

rθcs

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용)거짓말)

8

K/kW

무게

무게     모듈

1050

g