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IGBT 모듈,1200V 450A
특징
일반적 신청서
절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
설명 |
GD450HFL120B3S |
유닛 |
V CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
V |
V GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
V |
I C |
콜렉터 전류 @ T C =25 °C @ T C = 100°C |
715 450 |
A |
I 센티미터 |
펄스 콜렉터 전류 t 전 =1 ms |
900 |
A |
I F |
다이오드 연속 전면 커 임대료 |
450 |
A |
I Fm |
다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms |
900 |
A |
전 D |
최대 전력 분산 @ T j =1 75°C |
2679 |
W |
T jmax |
최대 분기 온도 |
175 |
°C |
T jop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
°C |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
°C |
V iso |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분 |
2500 |
V |
장착 토크 |
전원 터미널 나사:M5 장착 나사:M6 |
2.5에서 5.0 3.0에서 5.0 |
N.M |
전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
특징이 없네요
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
V (BR )CES |
수집자-출출자 피⌂크다운 전압 |
T j =25 °C |
1200 |
|
|
V |
I CES |
수집가 절단 -끄다 전류 |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C |
|
|
5.0 |
mA |
I GES |
게이트 발사자 누출 전류 |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C |
|
|
400 |
부적절함 |
특징 에 관한 것
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
V GE (번째 ) |
게이트 발산자 문 전압 |
I C =18.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C |
5.0 |
5.8 |
7.0 |
V |
V CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
I C =450A,V GE =15V, T j =25 °C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
I C =450A,V GE =15V, T j =125 °C |
|
2.20 |
|
변동 특성
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
T D (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =450A, R g =2.2Ω, V GE =±15V, T j =25 °C |
|
220 |
|
NS |
T R |
상승 시간 |
|
68 |
|
NS |
|
T D (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
475 |
|
NS |
|
T F |
하강 시간 |
|
55 |
|
NS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
48.0 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
28.2 |
|
mJ |
|
T D (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =450A, R g =2.2Ω, V GE =±15V, T j =125 °C |
|
250 |
|
NS |
T R |
상승 시간 |
|
72 |
|
NS |
|
T D (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
530 |
|
NS |
|
T F |
하강 시간 |
|
80 |
|
NS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
66.0 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
45.0 |
|
mJ |
|
C ies |
입력 용량 |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
31.8 |
|
NF |
C 소 |
출력 용량 |
|
2.13 |
|
NF |
|
C res |
역전환 용량 |
|
1.41 |
|
NF |
|
I SC |
SC 데이터 |
T 전 ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤1200V |
|
1950 |
|
A |
Q g |
게이트 요금 |
V CC =600V,I C =450A, V GE =-15 ﹍+15V |
|
4.59 |
|
μC |
R Gint |
내부 게이트 저항 ance |
|
|
0.7 |
|
Ω |
L CE |
방랑 인덕턴스 |
|
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
모듈 리드 저항력 터미널에서 칩으로 |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
|
V F |
다이오드 앞 전압 |
I F =450A V GE =0V |
T j =25 °C |
|
1.72 |
2.12 |
V |
T j =125 °C |
|
1.73 |
|
||||
Q R |
회복 충전 |
I F =450A, V R =600V, R g =2.2Ω, V GE =-15V |
T j =25 °C |
|
36.2 |
|
μC |
T j =125 °C |
|
78.1 |
|
||||
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
T j =25 °C |
|
234 |
|
A |
|
T j =125 °C |
|
314 |
|
||||
이 rec |
역회복 에너지 |
T j =25 °C |
|
19.1 |
|
mJ |
|
T j =125 °C |
|
36.3 |
|
열 특성 ics
상징 |
매개변수 |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
R θ JC |
부문별 (IGB당) T) |
|
0.056 |
K/W |
R θ JC |
부대와 부대 (D당) 요오드) |
|
0.107 |
K/W |
R θ CS |
케이스-투-심크 (전도성 지방 응용) 거짓말) |
0.035 |
|
K/W |
무게 |
무게 모듈 |
300 |
|
g |
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