IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD450HFL120B3S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집자 현재 @tc=25°C

@ Tc= 100°C

715

450

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

900

a

if

다이오드 연속 전면 커임대료

450

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

900

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175°C

2679

w

tjmax

최대 분기 온도

175

°C

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

°C

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

°C

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

장착 토크

전원 터미널 나사:M5

장착 나사:M6

2.5에서 5.0

3.0에서 5.0

n.m

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=18.0엄마,vc=vGE, tj=25°C

5.0

5.8

7.0

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=450A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

ic=450A,VGE=15V, tj=125°C

2.20

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg=2.2Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

220

NS

tr

상승 시간

68

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

475

NS

tf

하강 시간

55

NS

e에

켜 전환

손실

48.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

28.2

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg=2.2Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

250

NS

tr

상승 시간

72

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

530

NS

tf

하강 시간

80

NS

e에

켜 전환

손실

66.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

45.0

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

31.8

NF

c소

출력 용량

2.13

NF

cres

역전환

용량

1.41

NF

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15 v,

tj=125°Cvcc=900V, vCEM≤1200V

1950

a

qg

게이트 요금

vcc=600V,Ic=450A, vGE=-15 - 네+15V

4.59

μC

rGint

내부 게이트 저항ance

0.7

오

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=450A

vGE=0V

tj=25°C

1.72

2.12

v

tj=125°C

1.73

qr

회복

부과

if=450A,

vr=600V,

rg=2.2Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

36.2

μC

tj=125°C

78.1

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

234

a

tj=125°C

314

erec

역회복에너지

tj=25°C

19.1

mj

tj=125°C

36.3

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부문별 (IGB당)T)

0.056

K/W

rθJC

부대와 부대 (D당)요오드)

0.107

K/W

rθcs

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용)거짓말)

0.035

K/W

무게

무게     모듈

300

g