IGBT 모듈 1700V

매개 변수

상징

조건

분

최대

단위

컬렉터-이미터 전압

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

1700

v

DC 집합 전류

ic

TC =80°C

3600

a

피크 컬렉터 전류

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

7200

a

게이트-이미터 전압

VGES

-20

20

v

총 전력 손실

Ptot

TC =25°C,스위치당(IGBT)

17800

w

동전 전류

만약

3600

a

전류 최고

IFRM

tP=1ms

7200

a

전류

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사인파

18000

a

IGBT 단락 회로 SOA IGBT

tpsc

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

격리 전압

Visol

1분, f=50Hz

4000

v

접점 온도

TVj

175

°C

접합 작동 온도

TVj (op)

-50

150

°C

케이스 온도

Tc

-50

125

°C

저장 온도

TSTG

-50

125

°C

장착 모터

ms

4

6

nm

MT1

8

10

MT2

2

3

매개 변수

상징

조건

분

종류

최대

단위

집합 (- 방출기) 파괴 전압

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

v

수집기-출사기 포화 전압 

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

2.5

v

TVj=125°C

3.0

v

Tvj=150°C

3.1

v

집합 차단 전류 

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

10

엄마

TVj=125°C

100

엄마

Tvj=150°C

170

엄마

게이트 누설 전류 

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

아

포트-에미터 임계 전압 

VGE (th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

7.3

v

게이트 요금 

본부

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

21.0

μC

입력 용량 

시스

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

239

NF

출력 용량 

코스

20.9

역전환 용량 

크레스

9.24

턴온 지연 시간 

td(on)

VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω ,  VGE =±15V, Lσ=280nH, 

Tvj =   25 °C

1200

NS

Tvj = 125 °C

1500

Tvj = 150 °C

1600

상승 시간 

tr

Tvj =   25 °C

1400

Tvj = 125 °C

1600

Tvj = 150 °C

1700

차단 지연 시간 

td(off)

Tvj =   25 °C

3000

NS

Tvj = 125 °C

3500

Tvj = 150 °C

3700

하강 시간 

tf

Tvj =   25 °C

500

Tvj = 125 °C

560

Tvj = 150 °C

620

턴온 스위칭 손실 에너지 

EON

Tvj =   25 °C

2700

mj

Tvj = 125 °C

2900

Tvj = 150 °C

3200

턴오프 스위칭 손실 에너지 

EOFF

Tvj =   25 °C

3800

mj

Tvj = 125 °C

4100

Tvj = 150 °C

4400

단락 전류 

이스

tpsc  ≤ 10μs, VGE =15V,   Tvj  = 125°C,VCC = 1200V

10000

a