홈페이지 / 제품 / igbt 모듈 / IGBT 모듈 4500V
특징
전형적인신청
최대 등급 값
매개 변수/参数 | 상징/符号 | 조건/条件 | 분 | 최대 | 단위 |
컬렉터-이미터 전압 集电极- 발사압 | vCES | vGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 4500 | v |
DC 수집기 전류 集电极电流 | ic | tc =80°C |
| 650 | a |
피크 수집기 전류 集电极峰值 전류 | icm | tp=1ms,Tc=80°C |
| 1300 | a |
게이트-이미터 전압 极 발사极 전압 | vGES |
| -20 | 20 | v |
전체 전력 소모 총 전력 손실 | ptot | tc =25°C,개발 스위치 (IGBT) |
| 6670 | w |
동전 전류 직류 정류 전류 | if |
|
| 650 | a |
전류 최고 峰值 정면 전류 | iFRM | tP=1ms |
| 1300 | a |
급증 전류 浪涌电流 | iFSM | vr =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사상파 |
| 5300 | a |
IGBT 단축 회로 SOA IGBT 短路安全工作区 |
tpsc |
vcc =3400V,VCEMCHIP≤4500V vGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
격리 전압 绝缘 전압 | v단독 | 1분, f=50Hz |
| 10200 | v |
접점 온도 结温 | tvj |
|
| 150 | °C |
교차점 작동 온도부산 작업 냉각 | tvj ((op) |
| -50 | 125 | °C |
케이스 온도 温 | tc |
| -50 | 125 | °C |
저장 온도 저장 온도 | tSTG |
| -50 | 125 | °C |
장착 모터 력 전동 | ms |
| 4 | 6 |
nm |
mt1 |
| 8 | 10 | ||
mt2 |
| 2 | 3 |
IGBT 특성 값
매개 변수/参数 | 상징/符号 | 조건/条件 | 분 | 종류 | 최대 | 단위 | |
수집가 (- 발사자) 분산 전압 集电极- 방출极阻断 전압 |
v(BR) CES | vGE =0V,IC=10mA, TVj=25°C |
4500 |
|
|
v | |
컬렉터-이미터 포화 전압 集电极- 발사폭과 전압 |
vCEsat | ic =650A, vGE =15V | TVj= 25°C |
| 2.7 | 3.2 | v |
TVj=125°C |
| 3.4 | 3.8 | v | |||
픽터 차단 전류 集电极截止电流 전류 | iCES | vc =4500V, vGE =0V | TVj= 25°C |
|
| 10 | 엄마 |
TVj=125°C |
|
| 100 | 엄마 | |||
포트 누출 전류 极漏电流 | iGES | vc =0V,VGE =20V, tvj =125°C | -500 |
| 500 | 아 | |
포트-에미터 임계 전압 极 발사极값 전압 | vGE (th) | ic =160mA,Vc =VGE, tvj =25°C | 4.5 |
| 6.5 | v | |
포트 부과 极电荷 | qg | ic =650A,Vc =2800V, vGE =-15V ... 15v |
| 5.4 |
| μC | |
입력 용량 输入电容 | c소 |
vc =25V,VGE =0V,- 그래f=1MHz,Tvj =25°C |
| 71.4 |
|
NF | |
출력 용량 输出电容 | c소 |
| 4.82 |
| |||
역전환 용량 역전환 전력 | cres |
| 1.28 |
| |||
켜기 지연 시간 开通延延时间 | td(on) |
vcc =2800V, ic =650A, rg =2.2오 , vGE =±15V, 난σ=280nH, 感性负载 | TVj = 25 °c |
| 420 |
|
NS |
TVj = 125 °c |
| 528 |
| ||||
상승 시간 上升时间 | tr | TVj = 25 °c |
| 160 |
| ||
TVj = 125 °c |
| 190 |
| ||||
차단 지연 시간 关断延迟时间 | td(끄다) | TVj = 25 °c |
| 2100 |
|
NS | |
TVj = 125 °c |
| 2970 |
| ||||
하강 시간 下降时间 | tf | TVj = 25 °c |
| 1600 |
| ||
TVj = 125 °c |
| 2760 |
| ||||
팅 스위치 에너지 손실 开通 손실 에너지 | e에 | TVj = 25 °c |
| 1000 |
| mj | |
TVj =125 °c |
| 1600 |
| ||||
그림 전환 에너지 손실 断断损耗能量 (단절 에너지 손실) | e끄다 | TVj = 25 °c |
| 2000 |
| mj | |
TVj =125 °c |
| 2740 |
| ||||
단회로 전류 短路 전류 | isc | tpsc≤ 10μs, VGE =15V, tvj= 125°C,Vcc = 3400V |
| 3940 |
| a |
다이오드 특성 값
매개 변수/参数 | 상징/符号 | 조건/条件 | 분 | 종류 | 최대 | 단위 | |
전압 정면 전압 | vf | if =650A | TVj = 25 °c |
| 3.2 |
| v |
TVj = 125 °c |
| 3.6 |
| ||||
역행 회복 전류 역향 회복 전류 | irr |
vcc =2800V, ic =650A, rg =2.2오 , vGE =±15V, 난σ=280nH, 感性负载 | TVj = 25 °c |
| 1200 |
| a |
TVj = 125 °c |
| 1300 |
| a | |||
회복 전하 恢复电荷 | qrr | TVj = 25 °c |
| 450 |
| μC | |
TVj = 125 °c |
| 550 |
| μC | |||
역행 회복 시간 반향恢复时间 | trr | TVj = 25 °c |
| 660 |
| NS | |
TVj = 125 °c |
| 750 |
| ||||
역행 회복 에너지 역향 회복 에너지 | erec | TVj =25 °c |
| 720 |
| mj | |
TVj = 125 °c |
| 860 |
|
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