IGBT 모듈 3300V

매개 변수

상징

조건

분

최대

단위

컬렉터-이미터 전압

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

3300

v

DC 집합 전류

ic

TC =80°C

400

a

피크 컬렉터 전류

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

800

a

게이트-이미터 전압

VGES

-20

20

v

총 전력 손실

Ptot

TC =25°C,스위치당(IGBT)

7100

w

동전 전류

만약

400

a

전류 최고

IFRM

tP=1ms

800

a

전류

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사인파

3000

a

IGBT 단회로 SOA

tpsc

VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

격리 전압

Visol

1분, f=50Hz

10200

v

접점 온도

TVj

150

°C

접합 작동 온도

TVj (op)

-50

150

°C

케이스 온도

Tc

-50

125

°C

저장 온도

TSTG

-50

125

°C

장착 모터

ms

원형 열기M6 나사

4

6

nm

MT1

주요 터미널m8 나사

8

10

매개 변수

상징

조건

분

종류

최대

단위

수집기 (- 발산기) 분산전압

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C

3300

v

수집기-출사기 포화 전압

VCEsat

IC =400A, VGE =15V

Tvj= 25°C

3.0

v

TVj=125°C

3.6

v

집합 차단 전류

ICES

VCE =3300V, VGE =0V

Tvj= 25°C

5

엄마

TVj=125°C

50

엄마

게이트 누설 전류

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

아

포트-에미터 임계 전압

VGE (th)

IC = 80mA,VCE = VGE, Tvj = 25°C

5.5

7.5

v

게이트 요금

본부

IC =400A,VCE =1800V,VGE =-15V... 15V

4.0

μC

입력 용량

시스

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

65

NF

출력 용량

코스

3.7

역전환 용량

크레스

0.8

턴온 지연 시간

td(on)

VCC=1800V

IC=400A

RG =2.3Ω,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

感性负载

Tvj =   25 °C

650

NS

Tvj = 125 °C

750

상승 시간

tr

Tvj =   25 °C

400

Tvj = 125 °C

470

차단 지연 시간

td(off)

Tvj =   25 °C

1600

NS

Tvj = 125 °C

1800

하강 시간

tf

Tvj =   25 °C

1100

Tvj = 125 °C

1200

턴온 스위칭 손실 에너지

EON

Tvj =   25 °C

1400

mj

Tvj = 125 °C

1800

턴오프 스위칭 손실 에너지

EOFF

Tvj =   25 °C

1300

mj

Tvj = 125 °C

1700

단락 전류

이스

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C, VCC = 2500V

2500

a

매개 변수

상징

조건

분

종류

최대

단위

전압

VF

IF = 400A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

v

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

역 회전 전류

Irr

VCC=1800V

IC=400A

RG =2.3Ω,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

900

a

Tvj = 125 °C

1000

회복 전하

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

역회복 시간

trr

Tvj = 25 °C

850

NS

Tvj = 125 °C

2200

역 회수 에너지

Erec

Tvj = 25 °C

850

mj

Tvj = 125 °C

1300