IGBT 모듈 6500V

매개 변수

상징

조건

분

최대

단위

수집자-출출자 전압 

vCES

vGE=0V,Tvj ≥ 25°C

6500

v

DC 집합 전류 

ic

tc =80°C

250

a

피크 컬렉터 전류 

icm

tp=1ms,Tc=80°C

500

a

게이트-이미터 전압 

vGES

-20

20

v

전체 전력 분산 

ptot

tc=25°C,개발 스위치 (IGBT)

3200

w

동전 전류 

if

250

a

피크 전방 전류 

iFRM

tP=1ms

500

a

IGBT 단축 회로 SOA 

tpsc

vcc =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V vGE≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μs

격리 전압 

v단독

1분, f=50Hz

10200

v

접점 온도 

tvj

125

°C

접합 작동 온도 

tvj ((op)

-50

125

°C

케이스 온도 

tc

-50

125

°C

저장 온도 

tSTG

-50

125

°C

장착 모터 

ms

4

6

nm

mt1

8

10

매개 변수

상징

조건

분

종류

최대

단위

수집가 (- 발사자) 내전압

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, TVj=25°C

6500

v

수집자-출출자 포화   전압

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

TVj= 25°C

2.6

3

3.4

v

TVj=125°C

3.4

4

4.6

v

수집가 차단 전류 

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

TVj= 25°C

4

엄마

TVj=125°C

50

엄마

포트 누출 전류 

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

아

게이트 발산자 문 전압

v GE (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

v

턴온 지연 시간 

td(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载

TVj =   25 °c

1

μ s

TVj = 125 °c

0.94

상승 시간 

tr

TVj =   25 °c

0.76

TVj = 125 °c

0.81

차단 지연 시간 

td(off)

TVj =   25 °c

3.9

μ s

TVj = 125 °c

4.2

하강 시간 

tf

TVj =   25 °c

2.2

TVj = 125 °c

2.8

팅 스위치 에너지 손실 

EON

TVj =   25 °c

3081

mj

TVj = 125 °c

3900

그림 전환 에너지 손실 

e끄다

TVj =   25 °c

2100

mj

TVj = 125 °c

1236

짧다 회로 전류 

isc

tpsc ≤- 그래10μ s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V cc =

4400V

TVj = 125 °c

940

a