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IGBT 모듈,1700V 2400A
주요 매개변수
vc에 | 1700 v |
vCE (sat) | (유형) 1.75 v |
ic | (최대) 2400 a |
iC(RM) | (최대) 4800 a |
전형적인 응용 프로그램
특징
절대 최대 등급
(기호) | (매개변수) | (테스트 조건) | (값) | (단위) |
VCES | 컬렉터-이미터 전압 | V GE = 0V,Tvj = 25°C | 1700 | v |
V GES | 게이트-이미터 전압 |
| ± 20 | v |
I C | 컬렉터-이미터 전류 | T case = 100 °C, Tvj = 150 °C | 2400 | a |
I C(PK) | 피크 컬렉터 전류 | tP = 1ms | 4800 | a |
P max | 최대 트랜지스터 전력 손실 | Tvj = 150°C, T case = 25 °C | 19.2 | kw |
I 2t | 다이오드 I2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C | 1170 | kA2s |
Visol | 모듈당 절연 전압 | (공통 단자가 베이스 플레이트에 연결됨), AC RMS,1 분, 50Hz |
4000 |
v |
Q PD | 모듈당 부분 방전 | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS | 10 | pc |
전기적 특성
Tcase = 25 °C T case = 25°C로 명시되지 않는 한 | ||||||||
(기호) | (매개변수) | (테스트 조건) | (분) | (전형) | (최대) | (단위) | ||
I CES |
컬렉터 차단 전류 | V GE = 0V, VCE = VCES |
|
| 1 | 엄마 | ||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C |
|
| 40 | 엄마 | ||||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C |
|
| 60 | 엄마 | ||||
I GES | 게이트 누설 전류 | V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 1 | μA | ||
V GE (TH) | 게이트 임계 전압 | I C = 80mA, V GE = VCE | 5.0 | 6.0 | 7.0 | v | ||
VCE (sat)(*1) |
집합-발산 포화 전압 | VGE =15V, IC = 2400A |
| 1.75 |
| v | ||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C |
| 1.95 |
| v | ||||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C |
| 2.05 |
| v | ||||
I F | 다이오드 순방향 전류 | dc |
| 2400 |
| a | ||
I FRM | 다이오드 최대 전류 | t P = 1ms |
| 4800 |
| a | ||
VF(*1) |
다이오드 순방향 전압 | IF = 2400A |
| 1.65 |
| v | ||
IF = 2400A, Tvj = 125 °C |
| 1.75 |
| v | ||||
IF = 2400A, Tvj = 150 °C |
| 1.75 |
| v | ||||
시스 | 입력 용량 | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 400 |
| NF | ||
본부 | 게이트 전하 | ±15V |
| 19 |
| μC | ||
크레스 | 역전환 용량 | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 3 |
| NF | ||
L M | 모듈 인덕턴스 |
|
| 10 |
| NH | ||
R INT | 내부 트랜지스터 저항 |
|
| 110 |
| μΩ | ||
I SC |
단락 전류, ISC | Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
12000 |
|
a | ||
td(off) | 차단 지연 시간 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2320 |
| NS | ||
t f | 하강 시간 |
| 500 |
| NS | |||
E OFF | 차단 에너지 손실 |
| 1050 |
| mj | |||
td(on) | 턴온 지연 시간 |
| 450 |
| NS | |||
tr | 상승 시간 |
| 210 |
| NS | |||
EON | 켜기 에너지 손실 |
| 410 |
| mj | |||
Qrr | 다이오드 역회복 전하 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
| 480 |
| μC | ||
I rr | 다이오드 역회복 전류 |
| 1000 |
| a | |||
Erec | 다이오드 역회복 에너지 |
| 320 |
| mj | |||
td(off) | 차단 지연 시간 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2340 |
| NS | ||
t f | 하강 시간 |
| 510 |
| NS | |||
E OFF | 차단 에너지 손실 |
| 1320 |
| mj | |||
td(on) | 턴온 지연 시간 |
| 450 |
| NS | |||
tr | 상승 시간 |
| 220 |
| NS | |||
EON | 켜기 에너지 손실 |
| 660 |
| mj | |||
Qrr | 다이오드 역회복 전하 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
| 750 |
| μC | ||
I rr | 다이오드 역회복 전류 |
| 1200 |
| a | |||
Erec | 다이오드 역회복 에너지 |
| 550 |
| mj | |||
td(off) | 차단 지연 시간 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2340 |
| NS | ||
t f | 하강 시간 |
| 510 |
| NS | |||
E OFF | 차단 에너지 손실 |
| 1400 |
| mj | |||
td(on) | 턴온 지연 시간 |
| 450 |
| NS | |||
tr | 상승 시간 |
| 220 |
| NS | |||
EON | 켜기 에너지 손실 |
| 820 |
| mj | |||
Qrr | 다이오드 역회복 전하 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =12000A/us |
| 820 |
| μC | ||
I rr | 다이오드 역회복 전류 |
| 1250 |
| a | |||
Erec | 다이오드 역회복 에너지 |
| 620 |
| mj |
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