YMIF1000-33, IGBT 모듈, 3300V 1000A

YMIF1000-33,IGBT 모듈,3300V 1000A

IGBT 모듈，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

키 매개 변수

전형적인 응용 프로그램

전형적인 응용 프로그램

절대 최대 정격

전기적 특성

(기호)		(매개변수)	(테스트 조건)	(분)	(전형)	(최대)	(단위)
I CES		컬렉터 차단 전류	VGE = 0V,VCE = VCES			1	엄마
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	엄마
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	엄마
I GES		게이트 누설 전류	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	μA
VGE (TH)		게이트 임계 전압	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
VCE	(*1) (포화)	컬렉터-이미터 포화 전압	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	v
I F		다이오드 순방향 전류	dc		1000		a
I FRM		다이오드 최대 전류	t P = 1ms		2000		a
VF(*1)		다이오드 순방향 전압	I F= 1000A		2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	v
C ies		입력 용량	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		NF
Q g		게이트 요금	±15V		17		μC
C res		역전환 용량	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		NF
L M		모듈 인덕턴스			15		NH
R INT		내부 트랜지스터 저항			165		μΩ
I SC		단락 전류, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		a

td(off)	차단 지연 시간	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	NS
t f	하강 시간		530	NS
E OFF	차단 에너지 손실		1600	mj
td(on)	턴온 지연 시간		680	NS
t r	상승 시간		320	NS
EON	켜기 에너지 손실		1240	mj
Q rr	다이오드 역회복 전하	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	780	μC
I rr	다이오드 역회복 전류		810	a
E rec	다이오드 역회복 에너지		980	mj
td(off)	차단 지연 시간	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	NS
t f	하강 시간		580	NS
E OFF	차단 에너지 손실		1950	mj
td(on)	턴온 지연 시간		660	NS
t r	상승 시간		340	NS
EON	켜기 에너지 손실		1600	mj
Q rr	다이오드 역회복 전하	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	1200	μC
I rr	다이오드 역회복 전류	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	930	a