IGBT 모듈 3300V

상징

매개 변수

시험 조건

가치

단위

VCES

컬렉터-이미터 전압

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

v

VGES

게이트-이미터 전압

TC= 25 °C

± 20

v

ic

컬렉터-이미터 전류

TC = 100 °C

250

a

IC(PK)

피크 컬렉터 전류

tP=1ms

500

a

Pmax

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kw

I2t

다이오드 I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

 (공통 단자를 베이스플레이트에 연결),   AC RMS,1 분, 50Hz, TC= 25 °C

6

kv

QPD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

ICES

컬렉터 차단 전류

VGE = 0V,VCE  = VCES

1

엄마

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

15

엄마

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=150 °C

25

엄마

IGES

게이트 누설 전류

VGE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

VGE (TH)

게이트 임계 전압

IC = 20mA, VGE  = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat)(*1)

컬렉터-이미터 포화 전압

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

v

만약

다이오드 순방향 전류

dc

250

a

IFRM

 다이오드 피크 순방향 전류

tP = 1ms

500

a

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

IF = 250A, VGE  = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 150 °C

2.25

2.55

v

이스

단락 전류

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

a

ICES

컬렉터 차단 전류

VGE = 0V,VCE  = VCES

1

엄마

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

15

엄마

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=150 °C

25

엄마

IGES

게이트 누설 전류

VGE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

VGE (TH)

게이트 임계 전압

IC = 20mA, VGE  = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat)(*1)

컬렉터-이미터 포화

전압

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

v

만약

 다이오드 순방향 전류

dc

250

a

IFRM

  다이오드 피크 순방향 전류

tP = 1ms

500

a

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

IF = 250A, VGE  = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 150 °C

2.25

2.55

v

이스

단락 전류

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

a

td(off)

차단 지연 시간

ic =250A,

vc = 1800V,   vGE =- 그래±15V,   rG(OFF) = 9.0Ω , cGE = 56nF,

난s = 150nH,

tvj= 25 °c

1480

NS

tvj= 125 °c

1550

tvj= 150 °c

1570

tf

하강 시간

tvj= 25 °c

1280

NS

tvj= 125 °c

1920

tvj= 150 °c

2120

e끄다

차단 에너지 손실

tvj= 25 °c

300

mj

tvj= 125 °c

380

tvj= 150 °c

400

td(on)

턴온 지연 시간

ic =250A,

vc = 1800V,- 그래vGE =- 그래±15V,- 그래rG(ON) = 6.0Ω , cGE = 56nF,

난s = 150nH,

tvj= 25 °c

640

NS

tvj= 125 °c

650

tvj= 150 °c

650

tr

상승 시간

tvj= 25 °c

220

NS

tvj= 125 °c

235

tvj= 150 °c

238

e에

턴온 에너지 손실

tvj= 25 °c

395

mj

tvj= 125 °c

510

tvj= 150 °c

565

qrr

다이오드 역행

회복 전하

if =250A,

vc = 1800V,

- dif/dt = 1200A/us, (tvj= 125 °c)

tvj= 25 °c

190

μC

tvj= 125 °c

295

tvj= 150 °c

335

irr

다이오드 역행

회복 전류

tvj= 25 °c

185

a

tvj= 125 °c

210

tvj= 150 °c

216

erec

다이오드 역행

회복 에너지

tvj= 25 °c

223

mj

tvj= 125 °c

360

tvj= 150 °c

410