홈페이지 / 제품 / igbt 모듈 / IGBT 모듈 1700V
IGBT 모듈,1700V 800A
키 매개 변수
vCES | 1700 | v | |
vc(위성) | (전형) | 2.30 | v |
ic | (최대) | 800 | a |
iC(RM) | (최대) | 1600 | a |
전형적인 신청서
특징
절대 최대 등급
(기호) | (매개변수) | (테스트 조건) | (값) | (단위) |
VCES | 컬렉터-이미터 전압 | V GE = 0V, TC= 25ᅳc | 1700 | v |
V GES | 게이트-이미터 전압 | TC= 25ᅳc | ± 20 | v |
I C | 컬렉터-이미터 전류 | TC = 80ᅳc | 800 | a |
I C(PK) | 피크 컬렉터 전류 | t P=1ms | 1600 | a |
P max | 최대 트랜지스터 전력 소산 | Tvj = 150ᅳC, TC = 25ᅳc | 6.94 | kw |
I 2t | 다이오드 I 2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125ᅳc | 120 | kA2s |
Visol | 모듈당 절연 전압 | (기판에 공통 터미널), AC RMS,1 분, 50Hz,TC= 25ᅳc | 4000 | v |
Q PD | 모듈당 부분 방전 | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25ᅳc | 10 | pc |
전기적 특성
(상징) | (매개 변수) | (테스트 조건) | (분) | (유형) | (최대) | (단위) | |
I CES | 컬렉터 차단 전류 | V GE = 0V,VCE = VCES |
|
| 1 | 엄마 | |
V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C |
|
| 25 | 엄마 | |||
I GES | 게이트 누설 전류 | V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 4 | μA | |
V GE (TH) | 게이트 임계 전압 | I C = 40mA, V GE = VCE | 5.00 | 5.70 | 6.50 | v | |
VCE (sat)(*1) | 수집기-출사기 포화 전압 | V GE =15V, I C = 800A |
| 2.30 | 2.60 | v | |
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C |
| 2.80 | 3.10 | v | |||
I F | 다이오드 순방향 전류 | 직류dc |
|
| 800 | a | |
I FRM | 다이오드 최대 전류 | t P = 1ms |
|
| 1600 | a | |
VF(*1) | 다이오드 순방향 전압 | I F = 800A |
| 1.70 | 2.00 | v | |
I F = 800A, Tvj = 125 ° C |
| 1.80 | 2.10 | v | |||
C ies | 입력 용량 | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 60 |
| NF | |
Q g | 게이트 요금 | ±15V |
| 9 |
| μC | |
C res | 역전환 용량 | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
- 그래 |
| NF | |
L M | 모듈 인덕턴스 |
|
| 20 |
| NH | |
R INT | 내부 트랜지스터 저항 |
|
| 270 |
| μΩ | |
I SC | 단락 전류, ISC | Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3700 |
|
a | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
| 890 |
| NS | |
t f | 하강 시간 |
| 220 |
| NS | ||
E OFF | 차단 에너지 손실 |
| 220 |
| mj | ||
td(on) | 턴온 지연 시간 |
| 320 |
| NS | ||
t r | 상승 시간 |
| 190 |
| NS | ||
EON | 켜기 에너지 손실 |
| 160 |
| mj | ||
Q rr | 다이오드 역회복 전하 |
I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
| 260 |
| μC | |
I rr | 다이오드 역회복 전류 |
| 510 |
| a | ||
E rec | 다이오드 역회복 에너지 |
| 180 |
| mj | ||
td(off) | 차단 지연 시간 |
I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
| 980 |
| NS | |
t f | 하강 시간 |
| 280 |
| NS | ||
E OFF | 차단 에너지 손실 |
| 290 |
| mj | ||
td(on) | 턴온 지연 시간 |
| 400 |
| NS | ||
t r | 상승 시간 |
| 250 |
| NS | ||
EON | 켜기 에너지 손실 |
| 230 |
| mj | ||
Q rr | 다이오드 역회복 전하 |
I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
| 420 |
| μC | |
I rr | 다이오드 역회복 전류 |
| 580 |
| a | ||
E rec | 다이오드 역회복 에너지 |
| 280 |
| mj |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.