IGBT 모듈 3300V

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(값)

(단위)

VCES

컬렉터-이미터 전압

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

게이트 발사자 전압

± 20

v

I C

컬렉터-이미터 전류

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

a

I C(PK)

피크 컬렉터 전류

1ms, T 경우 = 140 °C

1000

a

P max

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kw

I 2t

다이오드

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

 공통 단자를 베이스 플레이트에),

AC RMS,1 분, 50Hz

6000

v

Q PD

모듈당 부분 방전

IEC1287 V1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pc

t케이스 = 25°c- 그래t 케이스- 그래= 25°c 아니면 언급 그렇지 않으면

(상징)

(매개변수)

(테스트 조건)

(분)

(유형)

(최대)

(단위)

i CES

컬렉터 차단 전류

v GE = 0V, vc- 그래= vCES

1

엄마

v GE = 0V, vc- 그래= vCES , t 케이스 =125 °C

30

엄마

v GE = 0V, vc- 그래=vCES , t 케이스 =150 °C

50

엄마

i GES

게이트 누출 전류

v GE = ±20V, vc- 그래= 0V

1

μA

v GE (TH)

게이트 임계 전압

i c = 40엄마, v GE =vc

5.50

6.10

7.00

v

vc (위성)(*1)

컬렉터-이미터 포화 전압

v GE =15V,i 씨= 500a

2.40

2.90

v

v GE =15V,i c- 그래= 500A,tvj = 125 °c

2.95

3.40

v

v GE =15V,i c- 그래= 500A,tvj = 150 °c

3.10

3.60

v

i f

다이오드 순방향 전류

dc

500

a

i FRM

다이오드 최전선 전류

t p = 1밀리초

1000

a

vf(*1)

다이오드 순방향 전압

i f = 500a

2.10

2.60

v

i f = 500A, tvj- 그래= 125 °C

2.25

2.70

v

i f = 500A, tvj- 그래= 150 °C

2.25

2.70

v

c소

입력 용량

vc = 25V, v GE- 그래= 0V,f = 1mhz

90

NF

qg

게이트 요금

±15V

9

μC

cres

역전환 능력인용

vc = 25V, v GE- 그래= 0V,f = 1mhz

2

NF

난 m

모듈 인덕턴스

25

NH

r int

내부 트랜지스터 저항

310

μΩ

i sc

단회로 전류 isc

tvj = 150°C v cc = 2500V, v GE ≤15V,tp ≤10μs,

vc(최대) = vCES –난 (*2) ×di/dt,IEC 6074-9

1800

a

td(off)

차단 지연 시간

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

1720

NS

t f

하강 시간

520

NS

E OFF

차단 에너지 손실

780

mj

td(on)

턴온 지연 시간

650

NS

tr

상승 시간

260

NS

EON

켜기 에너지 손실

730

mj

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt = 2100A/us

390

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

420

a

Erec

다이오드 역회복 에너지

480

mj

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(분)

(전형)

(최대)

(단위)

td(off)

차단 지연 시간

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

1860

NS

t f

하강 시간

550

NS

E OFF

차단 에너지 손실

900

mj

td(on)

턴온 지연 시간

630

NS

tr

上升时间상승 시간

280

NS

EON

켜기 에너지 손실

880

mj

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt = 2100A/us

620

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

460

a

Erec

다이오드 역회복 에너지

760

mj

(기호)

(파라미터)

(테스트 조건)

(분)

(전형)

(최대)

(단위)

td(off)

차단 지연 시간

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

1920

NS

t f

 하강 시간

560

NS

E OFF

차단 에너지 손실

1020

mj

td(on)

턴온 지연 시간

620

NS

tr

상승 시간

280

NS

EON

켜기 에너지 손실

930

mj

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt = 2100A/us

720

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

490

a

Erec

다이오드 역회복 에너지

900

mj