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IGBT 모듈，1700V 1200A
주요 매개변수
vCES | 1700 | v | |
vc(위성) | (전형) | 1.80 | v |
ic | (최대) | 1200 | a |
iC(RM) | (최대) | 2400 | a |
전형적인 신청서
특징
절대 최대 등급
(기호) | (매개변수) | (테스트 조건) | (값) | (단위) |
VCES | 컬렉터-이미터 전압 | V GE = 0V, TC= 25℃ | 1700 | v |
V GES | 게이트-이미터 전압 | TC= 25°C | ± 20 | v |
I C | 컬렉터-이미터 전류 | TC =75 °C | 1200 | a |
I C(PK) | 피크 컬렉터 전류 | t P=1ms | 2400 | a |
P max | 최대 트랜지스터 전력 소산 | Tvj = 150ᅳC, TC = 25°C | 5.68 | kw |
I 2t | 다이오드 I 2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125°C | 130 | kA2s |
Visol | 모듈당 절연 전압 | (기판에 공통 터미널), AC RMS,1 분, 50Hz,TC= 25°C | 4000 | v |
Q PD | 모듈당 부분 방전 | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25°C | 10 | pc |
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