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IGBT 모듈, 1400A 1700V
주요 매개변수
vCES | 1700 v |
vCE (sat) 전형적인. | 2.0 v |
i씨 최대 | 1400 a |
iC(RM)- 그래 최대 | 2800 a |
전형적인 응용 프로그램
특징
Cu Baseplate (기반판)
절대 최대 등급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 가치 | 부대 |
VCES | 컬렉터-이미터 전압 | VGE = 0V, TC= 25 °C | 1700 | v |
VGES | 게이트-이미터 전압 | TC= 25 °C | ± 20 | v |
ic | 컬렉터-이미터 전류 | TC = 65 °C | 1400 | a |
IC(PK) | 集电极峰值 전류 피크 컬렉터 전류 | tP=1ms | 2800 | a |
Pmax | 최대 트랜지스터 전력 소산 | Tvj = 150°C, TC = 25 °C | 6.25 | kw |
I2t | 다이오드 I2t | VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C | 145 | kA2s |
Visol | 모듈당 절연 전압 | 기본판에 공통 단말기), AC RMS,1min, 50Hz, TC= 25 °C |
4000 |
v |
전기적 특성
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | - 타이프 | 최대 | 부대 | ||
ICES |
컬렉터 차단 전류 | VGE = 0V,VCE = VCES |
|
| 1 | 엄마 | ||
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C |
|
| 20 | 엄마 | ||||
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C |
|
| 30 | 엄마 | ||||
IGES | 게이트 누설 전류 | VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 0.5 | μA | ||
VGE (TH) | 게이트 임계 전압 | IC = 30mA, VGE = VCE | 5.00 | 6.00 | 7.00 | v | ||
VCE (sat)(*1) |
컬렉터-이미터 포화 전압 | VGE = 15V, IC = 1400A |
| 2.00 | 2.40 | v | ||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C |
| 2.45 | 2.70 | v | ||||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C |
| 2.55 | 2.80 | v | ||||
만약 | 다이오드 순방향 전류 | dc |
| 1400 |
| a | ||
IFRM | 다이오드 최고 전류 | tP = 1ms |
| 2800 |
| a | ||
VF(*1) |
다이오드 순방향 전압 | IF = 1400A, VGE = 0 |
| 1.80 | 2.20 | v | ||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
| 1.95 | 2.30 | v | ||||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C |
| 2.00 | 2.40 | v | ||||
이스 |
단락 전류 | TVj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
5400 |
|
a | ||
시스 | 输入电容 입력 용량 | VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
| 113 |
| NF | ||
본부 | 게이트 요금 | ±15V |
| 11.7 |
| μC | ||
크레스 | 역전환 용량 | VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
| 3.1 |
| NF | ||
난 | 모듈 인덕턴스 |
|
| 10 |
| NH | ||
RINT | 내부 트랜지스터 저항 |
|
| 0.2 |
| mΩ | ||
td(off) |
차단 지연 시간 |
IC = 1400A VCE = 900V VGE = ±15V, RG ((OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C) | TVj= 25 °C |
| 1520 |
|
NS | |
Tvj= 125 °C |
| 1580 |
| |||||
Tvj= 150 °C |
| 1600 |
| |||||
tf |
下降时间하강 시간 | TVj= 25 °C |
| 460 |
|
NS | ||
Tvj= 125 °C |
| 610 |
| |||||
Tvj= 150 °C |
| 650 |
| |||||
EOFF |
차단 에너지 손실 | TVj= 25 °C |
| 460 |
|
mj | ||
Tvj= 125 °C |
| 540 |
| |||||
Tvj= 150 °C |
| 560 |
| |||||
td(on) |
턴온 지연 시간 |
IC = 1400A VCE = 900V VGE = ±15V, RG ((ON) = 1.2Ω, LS = 20nH di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C) | TVj= 25 °C |
| 400 |
|
NS | |
Tvj= 125 °C |
| 370 | ||||||
Tvj= 150 °C |
| 360 | ||||||
tr |
상승 시간 | TVj= 25 °C |
| 112 |
|
NS | ||
Tvj= 125 °C |
| 120 | ||||||
Tvj= 150 °C |
| 128 |
| |||||
EON |
켜기 에너지 손실 | TVj= 25 °C |
| 480 |
|
mj | ||
Tvj= 125 °C |
| 580 |
| |||||
Tvj= 150 °C |
| 630 |
| |||||
Qrr | 다이오드 역전 회복 전하 |
IF = 1400A, VCE = 900V - diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C) | TVj= 25 °C |
| 315 |
|
μC | |
Tvj= 125 °C |
| 440 |
| |||||
Tvj= 150 °C |
| 495 |
| |||||
Irr | 다이오드 역전 회복 전류 | TVj= 25 °C |
| 790 |
|
a | ||
Tvj= 125 °C |
| 840 |
| |||||
Tvj= 150 °C |
| 870 |
| |||||
Erec | 다이오드 역전 회복 에너지 | TVj= 25 °C |
| 190 |
|
mj | ||
Tvj= 125 °C |
| 270 |
| |||||
Tvj= 150 °C |
| 290 |
|
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