IGBT 모듈 6500V

VCES

6500 V

VCE(sat)        유형.

3.0 V

IC             최대.

750 A

IC(RM)         최대.

1500 A

상징

매개 변수

시험 조건

가치

단위

v_CES

컬렉터-이미터 전압

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

v

v_GES

게이트-이미터 전압

TC= 25 °C

± 20

v

i_c

컬렉터-이미터 전류

TC = 80 °C

750

a

i_C(PK)

피크 컬렉터 전류

tP=1ms

1500

a

p_최대

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

kw

i²t

다이오드 I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

v_단독

모듈당 절연 전압

 (베이스 플레이트에 공통 단자), AC RMS, 1분, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kv

q_PD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

Rth(J-C) IGBT

열 저항 - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) 다이오드

열 저항 - 다이오드

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

열 저항 -

케이스에서 히트싱크까지 (IGBT)

장착 토크 5Nm,

장착 그리스와 함께 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) 다이오드

열 저항 -

케이스에서 히트싱크까지 (다이오드)

장착 토크 5Nm,

장착 그리스와 함께 1W/m·°C

18

K / kW

TVjop

작동점 온도

(IGBT)

-40

125

°c

(다이오드)

-40

125

°c

TSTG

저장 온도

저장 온도 범위

-40

125

°c

m

나사 토크

장착   –M6

5

nm

전기 연결   – M4

2

nm

전기 연결   – M8

10

nm

符号상징

参数名称매개 변수

조건

시험 조건

최소값미니

典型값전형적인.

최대값최대

단위단위

ICES

集电极截止电流 전류

컬렉터 차단 전류

VGE = 0V,VCE  = VCES

1

엄마

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

90

엄마

IGES

极漏电流

게이트 누설 전류

VGE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

VGE (TH)

게이트- 그래이미터 임계 전압게이트 임계 전압

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (sat)(*1)

集电极- 그래이미터 포화 전압

컬렉터-이미터 포화

전압

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

v

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

v

만약

다이오드 정방향 직류 전류다이오드 순방향 전류

dc

750

a

IFRM

다이오드 정방향 반복 피크 전류 다이오드 피크 순방향 전류

tP = 1ms

1500

a

VF(*1)

다이오드 정방향 전압

다이오드 순방향 전압

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

v

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

v

이스

短路 전류

단락 전류

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

a

시스

输入电容

입력 용량

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

NF

본부

极电荷

게이트 요금

±15V

9.4

μC

크레스

역전달 용량

역전환 용량

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

NF

난

모듈 인덕턴스

모듈 인덕턴스

10

NH

RINT

내부 저항

내부 트랜지스터 저항

90

mΩ

td_(꺼짐)

关断延迟时间

차단 지연 시간

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

TVj= 25 °C

3060

NS

Tvj= 125 °C

3090

t_f

下降时间하강 시간

TVj= 25 °C

2390

NS

mj

NS

NS

mj

μC

Tvj= 125 °C

2980

e_끄다

차단 손실

차단 에너지 손실

TVj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

td_(켜짐)

开通延延时间

턴온 지연 시간

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

TVj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

上升时间상승 시간

TVj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

e_에

개방 손실

켜기 에너지 손실

TVj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

다이오드 역회복 전하다이오드 역전

회복 전하

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

TVj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

다이오드 역회복 전류다이오드 역전

회복 전류

TVj= 25 °C

1310

a

mj

Tvj= 125 °C

1460

Erec

다이오드 역회복 손실다이오드 역전

회복 에너지

TVj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080