IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1350

900

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

1800

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=150oc

7.40

kw

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

900

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1800

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

150

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +125

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=800A,VGE=15V, tj=25oc

2.90

3.35

v

ic=800A,VGE=15V, tj=125oc

3.60

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 16.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.0

6.1

7.0

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

53.1

NF

cres

역전환

용량

3.40

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

8.56

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=800A,- 그래rg= 1.3Ω

vGE=±15V,tj=25oc

90

NS

tr

상승 시간

81

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

500

NS

tf

하강 시간

55

NS

e에

켜 전환

손실

36.8

mj

e끄다

그림 전환

손실

41.3

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=800A,- 그래rg= 1.3Ω

vGE=±15V, tj= 125oc

115

NS

tr

상승 시간

92

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

550

NS

tf

하강 시간

66

NS

e에

켜 전환

손실

52.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

59.4

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=125oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

5200

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=800A,VGE=0V,Tj=25oc

1.95

2.40

v

if=800A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.95

qr

회복 전하

vcc=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15V, tj=25oc

56

μC

irm

피크 역전

회복 전류

550

a

erec

역회복에너지

38.7

mj

qr

회복 전하

vcc=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15V, tj= 125oc

148

μC

irm

피크 역전

회복 전류

920

a

erec

역회복에너지

91.8

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

12

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.19

mΩ

rθJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

16.9

26.2

K/kW

rθcs

케이스-싱크 (IGBT당)

케이스-싱크 (다이오드당)

19.7

30.6

K/kW

rθcs

케이스-싱크

6.0

K/kW

m

단자 연결 토크, 나사 M4 터미널 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 m6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

n.m

g

무게 의 모듈

1500

g