IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

icn

구현된 집합기 Cu임대료

600

a

ic

집합 전류  @ Tf=85oc

450

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

1200

a

pd

최대 전력 소산의정 @tf=75oc tj=175oc

970

w

상징

설명

값

단위

vRRM

반복적 피크 역전압GE

1200

v

ifn

구현된 집합기 Cu임대료

600

a

if

다이오드 연속 정방향 Cu임대료

450

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1200

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동 환절 온도 연속

10분간30년생, 발생최대 3000번의 수명나

-40에서 +150- 그래

+150 ~ +175

oc

tSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

d비치

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

9.0 9.0

mm

d맑습니다

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

4.5 4.5

mm

상징

설명

값

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

icn

구현된 집합기 Cu임대료

600

a

ic

집합 전류  @ Tf=85oc

450

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

1200

a

pd

최대 전력 소산의정 @tf=75oc tj=175oc

970

w

상징

설명

값

단위

vRRM

반복적 피크 역전압GE

1200

v

ifn

구현된 집합기 Cu임대료

600

a

if

다이오드 연속 정방향 Cu임대료

450

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1200

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동 환절 온도 연속

10분간30년생, 발생최대 3000번의 수명나

-40에서 +150- 그래

+150 ~ +175

oc

tSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

d비치

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

9.0 9.0

mm

d맑습니다

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

4.5 4.5

mm

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

ic=450A,VGE=15V, tj=25oc

1.40

v

ic=450A,VGE=15V, tj=150oc

1.65

ic=450A,VGE=15V, tj=175oc

1.70

ic=600A,VGE=15V, tj=25oc

1.60

ic=600A,VGE=15V, tj=150oc

1.90

ic=600A,VGE=15V, tj=175oc

2.00

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=15.6엄마,vc=vGE, tj=25oc

6.4

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다전류

vc=vCES,vGE=0V, tj=25oc

1.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항

1.67

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

81.2

NF

c소

출력 용량

1.56

NF

cres

역전환 용량

0.53

NF

qg

게이트 요금

vc =600V,Ic =600A, VGE=-8...+15V

5.34

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=600A,

rGon=1.0Ω,r고프=2.2Ω, 난s=22nH,

vGE=-8V/+15V tj=25oc

290

NS

tr

상승 시간

81

NS

td(off)

그림 지연 시간

895

NS

tf

하강 시간

87

NS

e에

켜 전환 손실

53.5

mj

e끄다

그림 전환 손실

47.5

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=600A,

rGon=1.0Ω,r고프=2.2Ω, 난s=22nH,

vGE=-8V/+15V tj=150oc

322

NS

tr

상승 시간

103

NS

td(off)

그림 지연 시간

1017

NS

tf

하강 시간

171

NS

e에

켜 전환 손실

84.2

mj

e끄다

그림 전환 손실

63.7

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=600A,

rGon=1.0Ω,r고프=2.2Ω, 난s=22nH,

vGE=-8V/+15V tj=175oc

334

NS

tr

상승 시간

104

NS

td(off)

그림 지연 시간

1048

NS

tf

하강 시간

187

NS

e에

켜 전환 손실

89.8

mj

e끄다

그림 전환 손실

65.4

mj

isc

SC 데이터

tp≤6μs,vGE=15V,

tj=175oC,Vcc=800V, vCEM≤1200V

2000

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞 전압

if=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

v

if=450A,VGE=0V,Tj=150oc

1.75

if=450A,VGE=0V,Tj=175oc

1.70

if=600A,VGE=0V,Tj=25oc

1.95

if=600A,VGE=0V,Tj=150oc

1.95

if=600A,VGE=0V,Tj=175oc

1.90

qr

회복 전하

vr=600V,If=600A,

-di/dt=7040A/μs,VGE=-8V 난s=22NH,tj=25oc

22.5

μC

irm

피크 역전

회복 전류

304

a

erec

역회복 에너지

10.8

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=600A,

-di/dt=5790A/μs,VGE=-8V 난s=22NH,tj=150oc

46.6

μC

irm

피크 역전

회복 전류

336

a

erec

역회복 에너지

18.2

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=600A,

-di/dt=5520A/μs,VGE=-8V 난s=22NH,tj=175oc

49.8

μC

irm

피크 역전

회복 전류

346

a

erec

역회복 에너지

19.8

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 r100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력

분산

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래 1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B값

r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래 1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B값

r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

8

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.75

mΩ

△p

△V/△t=10.0dm3/분,tf=75oc

64

마바르

p

냉각회로에서 최대 압력쿠잇

2.5

바

rthJF

교차점- 그래에- 그래냉각 유체(perIGBT)조명-냉각 액체 (D당)요오드) △V/△t=10.0dm3/분,tf=75oc

0.103 0.140

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4

3.6 1.8

4.4 2.2

n.m

g

무게 의 모듈

750

g