IGBT 모듈 1700V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집가 전류@ tc=25oc

@tc= 100oc

1069

600

a

icm

펄스 수집가 전류- 그래tp=1ms

1200

a

pd

최대 전력 분산@tj=175oc

4166

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1700

v

if

다이오드 연속 전류

600

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1200

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도특성

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에 +150

oc

tSTG

저장 온도 범위

-40에 +125

oc

viso

고립 전압- 그래RMS,f=50hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vc(위성)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=600A,vGE=15V, tj=25oc

1.85

2.20

v

ic=600A,vGE=15V, tj=125oc

2.25

ic=600A,vGE=15V, tj=150oc

2.35

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 12.0엄마,vc=vGE,tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

컬렉터 차단

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,

tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항

1.1

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1mhz,

vGE=0V

72.3

NF

cres

역전환

용량

1.75

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

5.66

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,ic=600A,- 그래rg= 1.0Ω,vGE=±15V,tj=25oc

160

NS

tr

상승 시간

67

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

527

NS

tf

하강 시간

138

NS

e에

켜 전환

손실

154

mj

e끄다

그림 전환

손실

132

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,ic=600A,- 그래rg= 1.0Ω,vGE=±15V,tj= 125oc

168

NS

tr

상승 시간

80

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

585

NS

tf

하강 시간

168

NS

e에

켜 전환

손실

236

mj

e끄다

그림 전환

손실

189

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,ic=600A,- 그래rg= 1.0Ω,vGE=±15V,tj= 150oc

192

NS

tr

상승 시간

80

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

624

NS

tf

하강 시간

198

NS

e에

켜 전환

손실

259

mj

e끄다

그림 전환

손실

195

mj

isc

SC 데이터

tp≤10μs,vGE=15V,

tj=150oc,vcc= 1000V, 브CEM≤1700V

2400

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=600A,vGE=0V,tj=25oc

1.80

2.25

v

if=600A,vGE=0V,tj= 125oc

1.90

if=600A,vGE=0V,tj= 150oc

1.95

qr

회복 전하

vr=900V,if=600A,

- 그래di/dt=6700A/μs,vGE=- 15vtj=25oc

153

μC

irm

피크 역전

회복 전류

592

a

erec

역회복에너지

76.5

mj

qr

회복 전하

vr=900V,if=600A,

- 그래di/dt=6700A/μs,vGE=- 15vtj=125oc

275

μC

irm

피크 역전

회복 전류

673

a

erec

역회복에너지

150

mj

qr

회복 전하

vr=900V,if=600A,

- 그래di/dt=6700A/μs,vGE=- 15vtj=150oc

299

μC

irm

피크 역전

회복 전류

690

a

erec

역회복에너지

173

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 의 r100

tc= 100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력

분산

20.0

mw

b25/50

B-가치

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B-가치

r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B-가치

r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rcc+EE'

모듈 납 저항, 터미널칩에게

1.10

mΩ

rthJC

교차점- 그래에- 그래케이스(1 igt)

교차점- 그래에- 그래케이스(1 다이오드)

0.036

0.073

K/W

rthCH

케이스- 그래에- 그래열기(1 igt)

케이스- 그래에- 그래열기(1 다이오드)

케이스-히트싱크 (모듈당)

0.027

0.055

0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루m6장착 토크, 스크루 m5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m

g

무게 모듈

350

g