IGBT 모듈 1700V

상징

설명

GD600HFT170C3S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

950

a

600

iCM(1)

펄스 컬렉터 전류    tp= 1밀리초

1200

a

if

다이오드 연속 전류n

600

a

ifm

다이오드 최대 전류n

1200

a

pd

최대 전력 분산 @tj=175°C

3571

w

tj

최대 분기 온도

150

°C

tSTG

저장 온도 범위

-40~ +125

°C

viso

절연 전압    RMS,f=50Hz,t=1min

3400

v

장착

토크

전원 단자 나사:M4

전원 단자 나사:M8

1.8에서 2.1

8.0에서 10

n.m

장착 스ikulu:M6

4.25에서 5.75

n.m

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(BR) CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1700

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다 전류

vc=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출

전류

vGE=VGESVc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE (th)

게이트 발산자 문

전압

ic=24mA,Vc=VGE, tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=600A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

ic=600A,VGE=15V, tj=125°C

2.40

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

qg

게이트 요금

vGE=-15...+15V

7.0

μC

td(on)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=600A, rGon=2.4Ω,

r고프=3.0Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

650

NS

tr

상승 시간

155

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

1300

NS

tf

하강 시간

180

NS

e에

켜 전환 손실

125

mj

e끄다

턴오프 스위칭 손실

186

mj

td(on)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=600A, rGon=2.4Ω,

r고프=3.0Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

701

NS

tr

상승 시간

198

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

1590

NS

tf

하강 시간

302

NS

e에

켜 전환 손실

186

mj

e끄다

턴오프 스위칭 손실

219

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

52.8

NF

c소

출력 용량

2.20

NF

cres

역전환

용량

1.75

NF

isc

SC 데이터

tsc≤10μs,VGE=15V,

tj=125°CVcc=1000V, vCEM ≤1700V

2400

a

rGint

내부 게이트 저항

1.3

오

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rcc+EE'

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.18

m오

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=600A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

qr

회복 전하

if=600A,

vr=900V,

di/dt=-3800A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

580

μC

tj=125°C

640

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

160

a

tj=125°C

258

erec

역회복 에너지

tj=25°C

96

mj

tj=125°C

171

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부수 (주)IGBT)

42

K/kW

rθJC

부대와 부대 (D당)요오드)

94

K/kW

rθCS

케이스-싱크

(전도성 그리스 적용, per모듈)

6

K/kW

무게

무게 모듈

1500

g