IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD450HTT120C7S

단위

vCES

수집기-출력기 전압@ Tj=25°C

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집기 전류 @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

450

a

icm

펄스 컬렉터 전류    tp=1ms

900

a

ptot

전력 분산량 @ Tj=175°C

2155

w

tsc

단회로 견딜 시간 @ Tj=150°C

10

μs

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(BR) CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다 전류

vc=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출

전류

vGE=VGESVc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE (th)

게이트 발산자 문

전압

ic=18.0mA,Vc=VGE, tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=450A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

ic=450A,VGE=15V, tj=125°C

1.90

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

e에

켜 전환

손실

vcc=600V,Ic=450A, Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=25°C

23.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

31.0

mj

etot

전체 전환 손실

54.0

mj

e에

켜 전환

손실

vcc=600V,Ic=450A, Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=125°C

36.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

48.0

mj

etot

전체 전환 손실

84.0

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=450A,VGE=0V

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj=125°C

1.65

qr

회복 전하

if=450A,

vr=600V,

di/dt=-5200A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

45.1

NS

tj=125°C

84.6

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

316

a

tj=125°C

404

erec

역회복 에너지

tj=25°C

21.1

mj

tj=125°C

38.9

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 의 r100

tc=100°C,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력 소모

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25exp[B25/501/T2-1/(298.1 5K))]

3375

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rcc+EE'

모듈 리드 저항칩에게 터미널 @ Tc=25°C

1.1

m오

rθJC

교차점- 그래에- 그래케이스(perIGBT)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.058

0.102

K/W

rθCS

케이스-투-심크 (전도성 지방))

0.005

K/W

tj

최대 분기 온도

150

°C

tSTG

저장 온도 범위

-40

125

°C

장착

토크

전원 단자 스ikulu:M5

3.0

6.0

n.m

장착 스ikulu:M6

3.0

6.0

n.m

무게

무게 모듈

910

g