IGBT 모듈 1700V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

706

450

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

900

a

pd

최대 전력 분산 @ T =175oc

2542

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1700

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

450

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

900

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=450A,VGE=15V, tj=25oc

1.85

2.20

v

ic=450A,VGE=15V, tj=125oc

2.25

ic=450A,VGE=15V, tj=150oc

2.35

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 18.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

1.67

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

54.2

NF

cres

역전환

용량

1.32

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

4.24

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=450A,- 그래rg=3.3Ω,VGE=±15V, tj=25oc

179

NS

tr

상승 시간

105

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

680

NS

tf

하강 시간

375

NS

e에

켜 전환

손실

116

mj

e끄다

그림 전환

손실

113

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=450A,- 그래rg=3.3Ω,VGE=±15V, tj= 125oc

208

NS

tr

상승 시간

120

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

784

NS

tf

하강 시간

613

NS

e에

켜 전환

손실

152

mj

e끄다

그림 전환

손실

171

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=450A,- 그래rg=3.3Ω,VGE=±15V, tj= 150oc

208

NS

tr

상승 시간

120

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

800

NS

tf

하강 시간

720

NS

e에

켜 전환

손실

167

mj

e끄다

그림 전환

손실

179

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=150oC,Vcc= 1000V, 브CEM≤1700V

1800

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

if=450A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.95

if=450A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.90

qr

회복 전하

vr=900V,If=450A,

-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15vtj=25oc

105

μC

irm

피크 역전

회복 전류

198

a

erec

역회복에너지

69.0

mj

qr

회복 전하

vr=900V,If=450A,

-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc

187

μC

irm

피크 역전

회복 전류

578

a

erec

역회복에너지

129

mj

qr

회복 전하

vr=900V,If=450A,

-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc

209

μC

irm

피크 역전

회복 전류

585

a

erec

역회복에너지

150

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 의 r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력

분산

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B값

r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B값

r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

1.10

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.059

0.083

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (per 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.031

0.043

0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m

g

무게 의 모듈

350

g